ГОСТ 19095-73
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Field-effect transistors. Terms, definitions and alphabetical symbols of parameters
МКС 01.040.31
31.080.30
Дата введения 1975-01-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. N 1960 дата введения установлена 01.01.75
ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1982 г. (ИУС 12-82).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771-80.
Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные - к параметрам большого сигнала.
В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс "макс".
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
1. Начальный ток стока D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom E. Drain current for V=0 F. Courant de drain pour V | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения | ||
1a. Ток стока D. Drainstrom E. Drain current F. Courant de drain | Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток | ||
2. Остаточный ток стока D. Drain-Reststrom E. Drain cut-off current F. Courant de drain au blocage | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки | ||
2a. Ток стока при нагруженном затворе D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate E. Drain current at a specified gatesource resistance F. Courant de drain pour une grillesource |
| Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором | |
2б. Ток истока D. Sourcesstrom E. Source current F. Courant de source | - | ||
2в. Начальный ток истока D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate E. Source current witg gate shortcircuited to drain F. Courant de source la grille court- | Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток | ||
2г. Остаточный ток истока D. Sourcereststrom F. Source current at a specified gatedrain condition F. Courant de source dans des conditions grilledrain | Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток | ||
2д. Ток затвора D. Gatestrom E. Gate current F. Courant de grille | - | ||
2е. Прямой ток затвора D. Gatedurchlassstrom E. Forward gate current F. Courant directe de grille | - | ||
2ж. Ток отсечки затвора D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source | Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток | ||
3. Ток утечки затвора D. Gatereststrom E. Gate leakage current F. Courant de fuite de drain | Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой | ||
4. Обратный ток перехода затвор-сток D. Gatereststrom (Source offen) E. Gate cut-off current with source open-circuited F. Courant | Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами | ||
5. Обратный ток перехода затвор-исток D. Gatereststrom (Drain offen) E. Gate cut-off current with drain open-circuited F. Courant | Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами | ||
5a. Ток подложки D. Substratstrom E. Substrate current F. Courant de substrat | - | ||
6. Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение отсечки D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source cut-off voltage F. Tension grille-source de blocage |
|
| Напряжение между затвором и истоком транзистора с переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
7. Пороговое напряжение полевого транзистора Пороговое напряжение D. Schwellspannung E. Gate-source threshold voltage F. Tension de seuil grille-source |
| Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения | |
7a. Напряжение сток-исток D. Drain-Source-Spannung E. Drain-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-source | - | ||
7б. Напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-source | - | ||
7в. Прямое напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Durch-lassspannung E. Forward gate-source (d. с.) voltage F. Tension directe (continue) grille-source |
| - | |
7г. Обратное напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Sperrspannung E. Reverse gate-source (d. c.) voltage F. Tension inverse (continue) grille-source |
| - | |
7д. Напряжение затвор-сток D. Gate-Drain-Spannung E. Gate-drain (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-drain | - | ||
7e. Напряжение исток-подложка D. Source-Substrat-Spannung E. Source-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) source-substrat | - | ||
7ж. Напряжение сток-подложка D. Drain-Substrat-Spannung E. Drain-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-substrat | - | ||
7з. Напряжение затвор-подложка D. Gate-Substrat-Spannung E. Gate-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-substrat | - | ||
7и. Пробивное напряжение затвора D. Gate-Source-Durchbruch-spannung E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) F. Tension de claquage grillesource |
|
| Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке |
8. Крутизна характеристики полевого транзистора Крутизна характеристики D. E. Forward transconductance F. Transconductance directe | Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком | ||
9. Крутизна характеристики по подложке | Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком | ||
10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei E. Drain-source onstate resistance F. |
|
| Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения |
10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor E. Drain-source off-state resistance F. |
|
| Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
11. Емкость сток-исток D. Drain-Source E. Drain-source capacitance F. Capacite drain-source | Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах | ||
12. Емкость затвор-сток D. Gate-Drain E. Gate-drain capacitance F. | Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах | ||
13. Емкость затвор-исток D. Gate-Source E. Gate-source capacitance F. | Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах | ||
14. Входная емкость полевого транзистора Входная емкость D. E. Input capacitance F. | Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком | ||
15. Выходная емкость полевого транзистора Выходная емкость D. E. Output capacitance F. | Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком | ||
16. Проходная емкость полевого транзистора Проходная емкость D. E. Reverse transfer capacitance F. | Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком | ||
17. Полная входная проводимость полевого транзистора Полная входная проводимость D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert E. Schort-circuit input admittance F. Admittance d'entree, la sortie etant en court-circuit | - | ||
18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора Активная входная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes E. Short-circuit input conductance F. Conductance | - | ||
19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора Полная проводимость обратной передачи D. Kurzschluss E. Short-circuit reverse transfer admittance F. Admittance de transfert inverse, | - | ||
20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости обратной передачи D. Betrag des Kurzschluss E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert inverse, |
| - | |
21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора Полная проводимость прямой передачи D. Kurzschluss F. Short-circuit forward transfer admittance F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit | - | ||
22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи D. Betrag des Kurzschluss- E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit |
| - | |
23. Полная выходная проводимость полевого транзистора Полная выходная проводимость D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert E. Short-circuit output admittance F. Admittance de sortie, | - | ||
24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора Активная выходная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes E. Short-circuit output conductance F. Conductance de sortie, | - | ||
25. Шумовое напряжение полевого транзистора Шумовое напряжение D. Rauschspannung E. Noise voltage F. Tension de bruit | Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком | ||
26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора э.д.с. шума D. Rauschurspannung E. Noise force electrovelocity | Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком | ||
27. Шумовой ток полевого транзистора Шумовой ток D. Rauschstrom E. Noise current F. Courant de bruit | Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком | ||
28. Шумовое сопротивление полевого транзистора Шумовое сопротивление D. Rauschwiderstand E. Noise resistance F. | Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением где - э.д.с. шума | ||
29. Коэффициент шума полевого транзистора Коэффициент шума D. Rauschfaktor E. Noise figure F. Facteur de bruit | Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | ||
30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Коэффициент усиления по мощности D. E. Power gain F. Gain en puissance | Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения | ||
31. Время задержки включения полевого транзистора Время задержки включения D. E. Turn-on delay time F. Retard la croissance |
| Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса | |
32. Время нарастания для полевого транзистора Время нарастания D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance | Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора | ||
33. Время задержки выключения полевого транзистора Время задержки выключения D. E. Turn-off delay time F. Retard |
| Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса | |
34. Время спада для полевого транзистора Время спада D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de | Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора | ||
35. Время включения полевого транзистора Время включения D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора | ||
36. Время выключения полевого транзистора Время выключения D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада | ||
37. Разность напряжений затвор-исток D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) E. Difference of gate-source voltages F. Difference des tension grille-source |
|
| Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока |
38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature |
|
| Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды |
39. Разность активных выходных проводимостей D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) |
|
| Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора |
40. Отношение начальных токов стока D. Drain-Source-Kurzsch E. Ratio of drain currents F. Rapport de courant de drain |
|
| Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора |
41. Разность токов утечки затвора D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) |
|
| - |
41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока D. Drain-Source-Verlustleistung | - | ||
42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток D. Maximal E. Maximum drain-source-voltage F. Tension maximale drain-source |
|
| - |
_______________ * Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. | |||
43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток D. Maximal E. Maximum gate-source voltage F. Tension grille-source maximale |
|
| - |
44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток D. Maximal E. Maximum gate-drain voltage F. Tension grille-drain maximale |
|
| - |
45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка D. Maximal E. Maximum drain-substrate voltage F. Tension maximale drain-substrat |
|
| - |
46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка D. Maximal E. Maximum source-substrate voltage F. Tension maximale source-substrat |
|
| - |
47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка D. Maximal E. Maximum gate-substrate voltage F. Tension maximale grille-substrate |
|
| - |
48. Максимально допустимое напряжение между затворами D. Maximal E. Maximum gate-gate voltage F. Tension maximale grille-grille |
|
| - |
49. Максимально допустимый постоянный ток стока D. Maximal E. Maximum drain current F. Courant maximale de drain |
|
| - |
50. Максимально допустимый прямой ток затвора D. Maximal E. Maximum forward gate current F. Courant directe de grille |
|
| - |
51. Максимально допустимый импульсный ток стока D. Maximal |
|
| Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов |
52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal E. Power dissipation F. Dissipation de puissance |
| - | |
53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal |
|
| Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов |
au drain
de grille
de grille le drain en circuit ouvert
Transistor
drainsource 
passent
drain-source 
grille-drain
grille-source
de sortie
de transfert inverse
, la sortie en court-circuit
scheinleitwert
en court-circuit
wertes 
en court-circuit
en court-circuit
en court-circuit
de bruit
,
(eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)
Drain-Source-Spannung
Gate-Source-Spannung
Gate-Drain-Spannung
Drain-Bulk-Spannung
Source-Bulk-Spannung 
Gate-Bulk-Spannung
Spannung zwischen den Gates
Drain Gleichstrom
Gate
Drain-Impulsstrom
Dauerver-lustleistung 
Impulsverlustleistung
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения | 35 |
Время включения полевого транзистора | 35 |
Время выключения | 36 |
Время выключения полевого транзистора | 36 |
Время задержки включения | 31 |
Время задержки включения полевого транзистора | 31 |
Время задержки выключения | 33 |
Время задержки выключения полевого транзистора | 33 |
Время нарастания | 32 |
Время нарастания для полевого транзистора | 32 |
Время спада | 34 |
Время спада для полевого транзистора | 34 |
Емкость входная | 14 |
Емкость выходная | 15 |
Емкость затвор-исток | 13 |
Емкость затвор-сток | 12 |
Емкость полевого транзистора входная | 14 |
Емкость полевого транзистора выходная | 15 |
Емкость полевого транзистора проходная | 16 |
Емкость проходная | 16 |
Емкость сток-исток | 11 |
Коэффициент усиления по мощности | 30 |
Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора | 30 |
Коэффициент шума | 29 |
Коэффициент шума полевого транзистора | 29 |
Крутизна характеристики | 8 |
Крутизна характеристики полевого транзистора | 8 |
Крутизна характеристики по подложке | 9 |
Модуль полной проводимости обратной передачи | 20 |
Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора | 20 |
Модуль полной проводимости прямой передачи | 22 |
Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора | 22 |
Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 53 |
Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 52 |
Мощность стока рассеиваемая постоянная | 41а |
Напряжение затвор-исток | 7б |
Напряжение затвор-исток максимально допустимое | 43 |
Напряжение затвора пробивное | 7и |
Напряжение затвор-исток прямое | 7в |
Напряжение затвор-исток обратное | 7г |
Напряжение затвор-подложка | 7з |
Напряжение затвор-подложка максимально допустимое | 47 |
Напряжение затвор-исток | 7д |
Напряжение затвор-сток максимально допустимое | 44 |
Напряжение исток-подложка | 7е |
Напряжение исток-подложка максимально допустимое | 46 |
Напряжение между затворами максимально допустимое | 48 |
Напряжение отсечки | 6 |
Напряжение отсечки полевого транзистора | 6 |
Напряжение полевого транзистора пороговое | 7 |
Напряжение полевого транзистора шумовое | 25 |
Напряжение пороговое | 7 |
Напряжение сток-исток | 7а |
Напряжение сток-исток максимально допустимое | 42 |
Напряжение сток-подложка | 7ж |
Напряжение сток-подложка максимально допустимое | 45 |
Напряжение шумовое | 25 |
Отношение начальных токов стока | 40 |
Проводимость входная активная | 18 |
Проводимость входная полная | 17 |
Проводимость выходная активная | 24 |
Проводимость выходная полная | 23 |
Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная | 19 |
Проводимость обратной передачи полная | 19 |
Проводимость полевого транзистора входная полная | 17 |
Проводимость полевого транзистора выходная полная | 23 |
Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная | 21 |
Проводимость прямой передачи полная | 21 |
Разность активных выходных проводимостей | 39 |
Разность напряжений затвор-исток | 37 |
Разность токов утечки затвора | 41 |
Сопротивление полевого транзистора шумовое | 28 |
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии | 10а |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 10 |
Сопротивление шумовое | 28 |
Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная | 18 |
Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная | 24 |
Ток затвора | 2д |
Ток затвора прямой | 2е |
Ток затвора прямой максимально допустимый | 50 |
Ток истока | 2б |
Ток истока начальный | 2в |
Ток истока остаточный | 2г |
Ток отсечки затвора | 2ж |
Ток подложки | 5а |
Ток полевого транзистора шумовой | 27 |
Ток перехода затвор-исток обратный | 4 |
Ток перехода затвор-сток обратный | 5 |
Ток стока | 1а |
Ток стока импульсный максимально допустимый | 51 |
Ток стока начальный | 1 |
Ток стока остаточный | 2 |
Ток стока при нагруженном затворе | 2а |
Ток стока при разомкнутом выводе остаточный | 2 |
Ток стока постоянный максимально допустимый | 49 |
Ток утечки затвора | 3 |
Ток шумовой | 27 |
Уход разности напряжений затвор-исток температурный | 38 |
Э.д.с. шума | 26 |
Электродвижущая сила шума полевого транзистора | 26 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit | 34 |
Anstiegszeit | 32 |
| 15 |
| 33 |
Ausschaltzeit | 36 |
Betrag des Kurzschluss- | 20 |
Betrag des Kurzschluss- | 22 |
Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 39 |
Drain- Reststrom | 2 |
Drainstrom | 1а |
Drainstrom Bei Widerstandsabschluss zwischen Source und Gate | 2а |
Drain-Source | 11 |
Drain-Source-Kurzschlustrom | 1 |
Drain-Source | 40 |
Drain-Source-Spannung | 7а |
Drain-Source-Verlustleistung | 41а |
Drain-Source-Widerstand bei | 10 |
Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor | 10а |
Drain-Substrat-Spannung | 7ж |
| 14 |
| 31 |
Einschaltzeit | 35 |
Gate-Drain | 12 |
Gate-Drain-Spannung | 7д |
Gatedurchlassstrom | 2е |
Gatereststrom | 3 |
Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 41 |
Gatereststrom (Drain offen) | 5 |
Gatereststrom (Source offen) | 4 |
Gate-Source-Durchbruchspannung | 7и |
Gate-Source-Durchlassspannung | 7в |
Gate-Source | 13 |
Gate-Source-Spannung | 7б |
Gate-Source-Spannung | 6 |
Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 37 |
Gate-Source-Sperrspannung | 7г |
Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung | 2ж |
Gatestrom | 2д |
Gate-Substrat-Spannung | 7з |
Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert | 23 |
Kurzschluss-Eingangsscheinleitwert | 17 |
Kurzschluss- | 19 |
Kurzschluss- | 21 |
| 30 |
Maximal | 52 |
Maximal | 45 |
Maximal | 42 |
Maximal | 47 |
Maximal | 44 |
Maximal | 43 |
Maximal | 53 |
Maximal | 46 |
Maximal | 48 |
Maximal | 49 |
Maximal | 51 |
Maximal | 50 |
Rauschfaktor | 29 |
Rauschspannung | 25 |
Rauschurspannung | 26 |
Rauschstrom | 27 |
Rauschwiderstand | 28 |
Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes | 24 |
Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes | 18 |
| 16 |
Schwellspannung | 7 |
Sourcereststrom | 2г |
Sourcestrom | 2б |
Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate | 2в |
Source-Substrat-Spannung | 7е |
Substratstrom | 5а |
Temperaturdrift der Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) | 38 |
| 8 |
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Transistor
Dauerverlustleistung
Drain-Bulk-Spannung
Drain-Source-Spannung
Gate-Bulk-Spannung
Gate-Drain-Spannung
Gate-Source-Spannung
Impulsverlustleistung
Source-Bulk-Spannung
Spannung zwischen den Gates
Drain-Gleichstrom
Drain-Impulsstrom
Gate-Vorwartsstrom
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Difference of gate-source voltages | 37 |
Drain current | 1а |
Drain current at a specified gate-source resistance | 2а |
Drain current for V=0 | 1 |
Drain cut-off current | 2 |
Drain-source capacitance | 11 |
Drain-source off-state resistance | 10а |
Drain-source on-state resistance | 10 |
Drain-source (d. c.) voltage | 7а |
Drain-substrate (d. c.) voltage | 7ж |
Drift of difference of gate-source voltage with temperature | 38 |
Fall time | 34 |
Forward gate current | 2е |
Forward gate-source (d. c.) voltage | 7в |
Forward transconductance | 8 |
Gate current | 2д |
Gate-cut-off current with drain open-circuited | 5 |
Gate-cut-off current with source open-circuited | 4 |
Gate-cut-off current (of a field-effect transistor) with specified drain-source circuit conditions | 2ж |
Gate-drain capacitance | 12 |
Gate-drain (d. c.) voltage | 7д |
Gate leakage current | 3 |
Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) | 7и |
Gate-source capacitance | 13 |
Gate-source cut-off voltage | 6 |
Gate-source threshold voltage | 7 |
Gate-source (d. c.) voltage | 7б |
Gate-substrate (d. c.) voltage | 7з |
Input capacitance | 14 |
Maximum drain current | 49 |
Maximum drain-source voltage | 42 |
Maximum drain-substrate voltage | 45 |
Maximum forward gate current | 50 |
Maximum gate-drain voltage | 44 |
Maximum gate-gate voltage | 48 |
Maximum gate-source voltage | 43 |
Maximum gate-substrate voltage | 47 |
Maximum source-substrate voltage | 46 |
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | 22 |
Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance | 20 |
Noise current | 27 |
Noise figure | 29 |
Noise force electrovelocity | 26 |
Noise resistance | 28 |
Noise voltage | 25 |
Output capacitance | 15 |
Power dissipation | 52 |
Power gain | 30 |
Ratio of drain currents | 40 |
Reverse gate-source (d. c.) voltage | 7г |
Reverse transfer capacitance | 16 |
Rise time | 32 |
Short-circuit forward transfer admittance | 21 |
Short-circuit input admittance | 17 |
Short-circuit input conductance | 18 |
Short-circuit output admittance | 23 |
Short-circuit output conductance | 24 |
Short-circuit reverse transfer admittance | 19 |
Source current | 2б |
Source current at a specified gate-drain condition | 2г |
Source current with gate short-circuited to drain | 2в |
Source-substrate (d. c.) voltage | 7е |
Substrate current | 5а |
Turn-off delay time | 33 |
Turn-on delay time | 31 |
Turn-off time | 36 |
Turn-on time | 35 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Admittance | 17 |
Admittance de sortie, | 23 |
Admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 21 |
Admittance de transfert inverse, | 19 |
| 14 |
| 15 |
| 16 |
| 11 |
| 12 |
| 13 |
Couductance | 18 |
Couductance de sortie l'entree en court-circuit | 24 |
Courant de bruit | 27 |
Courant de drain | 1а |
Courant de drain au blocage | 2 |
Courant de drain pour V=0 | 1 |
Courant de drain pour une | 2а |
Courant de fuite de drain | 3 |
Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source | 2ж |
Courant de grille | 2д |
Courant de source | 2б |
Courant de source dans des conditions grille-drain | 2г |
Courant de source la grille | 2в |
Courant de substrat | 5а |
Courant directe de grille | 2е, 50 |
Courant maximale de drain | 49 |
Courant | 4 |
Courant | 5 |
Difference des tension grille-source | 37 |
Dissipation de puissance | 52 |
Facteur de bruit | 29 |
Gain en puissance | 30 |
Module de l'admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 22 |
Module de l'admittance de transfert inverse | 20 |
Rapport de courant de drain | 40 |
| 28 |
| 10а |
| 10 |
Retard la croissance | 31 |
Retard | 33 |
Temps de croissance | 32 |
Temps de | 34 |
Temps total de coupure | 36 |
Temps total | 35 |
Tension de bruit | 25 |
Tension de claquage grille-source | 7и |
Tension de seuil grille-source | 7 |
Tension directe (continue) grille-source | 7в |
Tension (continue) drain-source | 7а |
Tension (continue) drain-substrat | 7ж |
Tension (continue) grille-drain | 7д |
Tension grille-drain maximale | 44 |
Tension (continue) grille-source | 7б |
Tension grille-source de blocage | 6 |
Tension grille-source maximale | 43 |
Tension (continue) grille-substrat | 7з |
Tension inverse (continue) grille-source | 7г |
Tension maximale drain-source | 42 |
Tension maximale drain-substrat | 45 |
Tension maximale grille-grille | 48 |
Tension maximale grille-substrat | 47 |
Tension maximale source-substrat | 46 |
Tension (continue) source-substrat | 7е |
Transconductance directe | 8 |
Variation de la difference des tensions grille-source avec la | 38 |
, la sortie en court-circuit 
en court-circuit 
en court-circuit 
de sortie 
de transfert inverse 
drain-source 
grille-drain 
grille-source 
, la sortie en court-circuit 
grille-source 
au drain 
de grille 
de grille le drain etant en circuit ouvert 
en court-circuit 
de bruit 
drain-source 
drain-source 
passent
Электронный текст документа
и сверен по
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005