ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры

Текст ГОСТа

ГОСТ 24173-80

Группа Э02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТИРИСТОРЫ

Основные параметры

Thyristors. Basic parameters

Дата введения 1981-07-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 16 мая 1980 г. N 2158 срок введения установлен с 01.07.81

ВЗАМЕН ГОСТ 17465-72 в части разд.23, 24, 25

ПЕРЕИЗДАНИЕ. Сентябрь 1987 г.

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров.

2. Допускаемые сочетания* значений основных параметров триодных незапираемых тиристоров малой мощности должны выбираться в соответствии с указанными в табл.1.

________________

* В табл.1-4 отмечены знаком "+".

Таблица 1


Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии , мА	Максимально допустимое постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии , В
	5	15	30	60	100	150	200	300	400	500
10	+	+	+	+	+	+	+
20	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
50	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
100	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
200	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
500			+	+	+	+	+	+	+	+

3. Допускаемые сочетания значений основных параметров незапираемых триодных тиристоров средней мощности должны выбираться в соответствии с указанными в табл.2.

Таблица 2


Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии , А	Максимально допустимое постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии , В
	10	50	100	200	300	400	600	800	1000	1200
0,5	+	+	+	+	+	+	+
1,0	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
2,0	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+
5,0		+	+	+	+	+	+	+	+	+
10,0		+	+	+	+	+	+	+	+	+

4. Допускаемые сочетания значений основных параметров запираемых триодных тиристоров малой и средней мощности должны выбираться в соответствии с указанными в табл.3.

Таблица 3


Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии , мА	Максимально допустимое постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии , В
	20	50	100	150	200	300	400	600
0,05	+	+	+	+	+	+	+	+
0,30	+	+	+	+	+	+	+	+
0,50	+	+	+	+	+	+	+	+
1,00	+	+	+	+	+	+	+	+
2,00	+	+	+	+	+	+	+	+
5,00	+	+	+	+	+	+	+
10,00	+	+	+	+	+

5. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных триодных тиристоров должны выбираться в соответствии с указанными в табл.4.

Таблица 4


Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, А	Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В
	400	600	800	1000	1200	1600	2000	2500	3000
100	+	+	+	+	+	+	+
200	+	+	+	+	+	+	+	+	+
400	+	+	+	+	+	+	+	+	+
800	+	+	+	+	+	+	+	+	+
1000	+	+	+	+	+	+	+	+
1200	+	+	+	+	+	+	+
1600	+	+	+	+	+	+
2000	+	+	+	+	+

6. Значения максимального времени нарастания (при активной нагрузке) должны выбираться из ряда: 0,01; 0,02; 0,03; 0,05; 0,075; 0,1; 0,2; 0,3; 0,5; 1,0 мкс.

Электронный текст документа

и сверен по:

М.: Издательство стандартов, 1988

Другие госты в подкатегории

ГОСТ 11630-84

Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

ГОСТ 18604.0-83

Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров

ГОСТ 15172-70

Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров

ГОСТ 17465-80

Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 17466-80

Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры

ГОСТ 18604.14-77

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте

ГОСТ 18604.15-77

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока

ГОСТ 18604.19-88

Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения

ГОСТ 18604.10-76

Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления

ГОСТ 18604.16-78

Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала

ГОСТ 18604.20-78

Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте

ГОСТ 18604.13-77

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора

ГОСТ 18604.11-88

Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах

ГОСТ 18604.22-78

Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер

ГОСТ 18604.23-80

Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих

ГОСТ 18604.27-86

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

ГОСТ 18604.1-80

Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

ГОСТ 18604.24-81

Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора

ГОСТ 18604.4-74

Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора

ГОСТ 18604.5-74

Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера

ГОСТ 18604.6-74

Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера

ГОСТ 18986.0-74

Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

ГОСТ 18986.1-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока

ГОСТ 18604.26-85

Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров

ГОСТ 18986.11-84

Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь

ГОСТ 18986.12-74

Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода

ГОСТ 18604.3-80

Транзисторы биполярные. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

ГОСТ 18986.15-75

Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации

ГОСТ 18986.10-74

Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности

ГОСТ 18604.8-74

Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости

ГОСТ 18986.18-73

Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости

ГОСТ 18604.2-80

Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока

ГОСТ 18986.20-77

Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим

ГОСТ 18986.16-72

Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока

ГОСТ 18986.17-73

Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации

ГОСТ 18604.7-74

Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока

ГОСТ 18986.24-83

Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения

ГОСТ 18986.22-78

Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления

ГОСТ 18986.4-73

Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости

ГОСТ 18986.5-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения

ГОСТ 17772-88

Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик

ГОСТ 18986.6-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления

ГОСТ 18986.3-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока

ГОСТ 18986.7-73

Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда

ГОСТ 19138.0-85

Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров

ГОСТ 19138.1-85

Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения

ГОСТ 18986.21-78

Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации

ГОСТ 19138.2-85

Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления

ГОСТ 19138.3-85

Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения

ГОСТ 19138.4-73

Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки

ГОСТ 19138.5-85

Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки

ГОСТ 18986.13-74

Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора

ГОСТ 19656.0-74

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

ГОСТ 18986.8-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления

ГОСТ 18604.9-82

Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока

ГОСТ 19138.6-86

Тиристоры. Методы измерения электрических параметров

ГОСТ 19656.1-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению

ГОСТ 18986.9-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления

ГОСТ 19138.7-74

Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания

ГОСТ 18986.23-80

Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума

ГОСТ 18986.14-85

Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений

ГОСТ 18986.19-73

Варикапы. Метод измерения добротности

ГОСТ 19656.14-79

Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты

ГОСТ 19656.2-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока

ГОСТ 19656.16-86

Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей

ГОСТ 19656.13-76

Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности

ГОСТ 19656.12-76

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления

ГОСТ 19834.0-75

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров

ГОСТ 19656.7-74

Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току

ГОСТ 19834.3-76

Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

ГОСТ 19656.3-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте

ГОСТ 19656.4-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования

ГОСТ 19834.4-79

Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения

ГОСТ 19834.5-80

Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения

ГОСТ 20398.0-83

Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров

ГОСТ 19834.2-74

Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

ГОСТ 19656.6-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума

ГОСТ 20398.12-80

Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока

ГОСТ 20398.10-80

Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме

ГОСТ 20398.1-74

Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи

ГОСТ 19656.5-74

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения

ГОСТ 20215-84

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия

ГОСТ 19656.15-84

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления

ГОСТ 20398.13-80

Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток

ГОСТ 20398.6-74

Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора

ГОСТ 20398.7-74

Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки

ГОСТ 20398.2-74

Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума

ГОСТ 20398.14-88

Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока

ГОСТ 20398.8-74

Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока

ГОСТ 20398.11-80

Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума

ГОСТ 24041-80

Таситроны. Основные параметры

ГОСТ 23448-79

Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры

ГОСТ 28578-90

Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания

ГОСТ 24352-80

Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 20859.1-89

Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

ГОСТ 28625-90

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией

Обозначение	ГОСТ 24173-80
Наименование	Тиристоры. Основные параметры
Статус	Действует
Дата введения	06.30.1981
Дата отмены	-
Заменен на	-
Код ОКС	31.080.20