ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
ГОСТР 59605— 2021
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Оптика и фотоника
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Издание официальное
Москва Российский институт стандартизации 2021
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием «Научно-исследовательский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всероссийского научного центра «Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова» (ФГУП «НИИ-ФООЛИОС ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова») и Акционерным обществом «Научно-производственное объединение «Орион» (АО «НПО «Орион»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 «Оптика и фотоника»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. № 1136-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
©Оформление. ФГБУ «РСТ». 2021
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
Содержание
1 Область применения
2 Термины и определения
Алфавитный указатель терминов на русском языке
Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке
Алфавитный указатель буквенных обозначений
Приложение А {справочное) Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излуче-ния и фотоприемых устройств.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы без пометы «Нрк» приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два или более термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта. приведены в приложении А.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой. — светлым.
ГОСТ Р 59605—2021
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Оптика и фотоника
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Optics and photonics. Semconducting photoelectric detectors. Photoelectric and pholoreceiving devices. Terms and definitions
Дата введения — 2022—03—01
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, а также буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, входящих в сферу действия работ по стандартизации и использующих результаты этих работ.
2 Термины и определения
Основные термины и определения
1 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой. инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.
photosensitive semiconductor device
photoelectric semiconducting detector; photodetector
photoreceiving device
2 фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; ФЭПП: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике.
3 фотоприемное устройство; ФПУ; Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления и обработки фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию.
Примечание — Гибридные ФПУ подразделяют на поколения:
• к ФПУ первого поколения относят ФПУ. не включающие в состав большой интегральной схемы (БИС) считывания: также этим термином обозначают и негибридные ФПУ. не включающие в состав БИС считывания:
• к ФПУ второго поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат до 1280 « 1024. каждый пиксель которого передает только информацию об уровне собственной облученности в одном спектральном диапазоне:
• к ФПУ третьего поколения относят ФПУ с БИС считывания, обладающие одним из следующих свойств: формат более 1280 * 1024, но менее 1920 * 1080: возможность раздельного приема пикселем излучения в двух и более спектральных диапазонах; возможность измерения временной задержки прихода сигнала в каждом пикселе, аналого-цифровое преобразование непосредственно в элементе БИС считывания и т. д.;
Издание официальное
• к ФПУ чеге&ргого поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат более 1920 * 1080 или обладающие двумя или более свойствами, присущими ФПУ третьего поколения (кроме формата).
Типы фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения
4 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многослектральный ФЭПП: ФЭПП, содержащий два и более фоточувствительных элемента с различными диапазонами спектральной чувствительности.
5 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый при* емник излучения; одноэлементный ФЭПП: ФЭПП. содержащий один фото-чувствительный элемент.
6 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоэлементный ФЭПП: ФЭПП с числом фоточувствительных элементов более одного.
Примечание — Допускается применять термин «двух*, трех-, четырехэле-мектный» ФЭПП.
7 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; координатный ФЭПП: ФЭПП. по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувстеительной поверхности.
8 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; гетеродинный ФЭПП: ФЭПП. предназначенный для гетеродинного приема излучения.
9 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения: иммерсионный ФЭПП: ФЭПП, содержащий иммерсионный сигнал.
10 фоторезистор: ФЭПП. принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.
11 фотодиод: Полупроводниковый диод с р - п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее е непосредственной близости перехода. вызывает фотогальванический эффект.
12 pin-фотодиод: Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной.
13 фотодиод с барьером Шоттки: Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
14 фотодиод с гетеропереходом: Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Примечание — Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.
15 лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
16 инжекционный фотодиод: Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.
17 фототранэистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
18 полевой фототранэистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
19 биполярный фототранэистор: Фототранэистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.
20 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; охлаждаемый ФЭПП: ФЭПП. работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувстеительного элемента.
multi-band photodetector
single-element photodetector
multi-element photodetector
position-sensitive photodetector
heterodyne photodetector
immersed photodetector
photoresistor; photocon-ductive cell photodiode
pin-photodiode
Schottky-barrier photodiode heterojunction photodiode
avalanche photodiode
injection photodiode
phototransistor
field effect phototransistor
bipolar phototransistor
cooled photodetector
Типы фотоприемных устройств
21 одноэлементное фотоприемное устройство; одноэлементное ФПУ: ФПУ. в котором используется одноэлементный ФЭПП.
22 многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами; многоэлементное ФПУ с разделенными каналами: ФПУ. имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов.
23 многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней ком* мутацией; многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией: ФПУ с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит комму* тация их сигналов так. что выходов ФПУ меньше, чем число фоточувстви* тельных элементов.
Примечание — Многоэлементныв ФПУ с внутренней коммутацией разделяют на матричные и линейные:
- у матричного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы не превышает линейный размер и число элементов подругой оси более чем в 10 раз:
• у линейного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз.
24 многоспектральное фотоприемное устройство; многоспектраль-ное ФПУ: ФПУ. содержащее многоспектральный ФЭПП.
25 фоточувствительный полупроводниковый сканистор: Фоточув* стеительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки.
26 охлаждаемое фотоприемное устройство; охлаждаемое ФПУ: ФПУ. в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП.
27 монолитное фотоприемное устройство; монолитное ФПУ: ФПУ. выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.
26 гибридное фотоприемное устройство; гибридное ФПУ: ФПУ. выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов.
29 фотоприемный модуль: Прибор, содержащий в составе ФПУ и блок электронной обработки изображения, осуществляющий обработку сигналов и их выдачу по промышленному или иному интерфейсу.
Примечания
1 К фотоприемному модулю, работающему в качестве тепловизора, допускается применять термин «модуль формирования тепловизионного видеосигнала».
2 Допускается применять термин «фотоприемный модуль на основе ФПУ X поколения». что означает фотоприемный модуль, содержащий в составе ФПУ X поколения. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение или цифру, обозначающую соответствующее поколение ФПУ.
30 режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона (ФЭПП); режим ОФ ФЭПП: Условия, при которых обнаружительная способность ФЭПП определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона.
31 режим оптической генерации (ФЭПП); режим ОГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП. при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей.
single-element photoreceiving device multi*element photoreceiving device with separate channels
multi-element photoreceiving device with internally commutation
multi-band photoreceiving device
photosensitive semiconductor scanistor
cooled photoreceiving device
monoiictical photore-ceiving device
hybrid photoreceiving device
camera module; camera
background limited mode (of a photodetector)
optical generation mode (of a photodetector)
32 режим термической генерации (ФЭПП); режим ТГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП. при котором число свободных носителей заряда е отсутствие полезного сигнала определяется только термической генерацией.
33 фотодиодный режим: Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении.
34 лавинный режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.
35 фотогальванический режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения.
36 режим работы фототранзистора с плавающей базой: Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.
37 режим короткого замыкания (ФЭПП): Режим работы ФЭПП. при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП.
38 режим холостого хода (ФЭПП): Режим работы ФЭПП. при котором его выходное динамическое сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки.
39 режим работы (ФЭПП) с согласованной нагрузкой: Режим работы ФЭПП. при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению.
40 режим оптического гетеродинного приема (ФЭПП): Режим работы ФЭПП. при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала.
41 режим временной задержки накопления (ФПУ); режим ВЗН ФПУ: Режим работы ФПУ. при котором происходит накопление сигнала от одного и того же участка изображения несколькими фоточувствительными элементами, их запоминание и последующее суммирование.
Примечание — Режим временной задержки накопления ФПУ достигается за счет расположения фоточувствигельных элементов (ФЧЭ) вдоль направления сканирования (перемещения изображения) и временной задержки начала накопления, синхронизованной сдвижением изображения.
thermal generation mode (of a photodetector)
back-biased operation mode
avalanche mode of photodiode operation
zero-bias mode of photodiode operation: photovoltaic mode of photodiode operation floating-base mode of phototransistor operation
short-circuit mode of photodetector operation
open-circuit mode of photodetector operation
matched impedance mode of photodetector operation
heterodyne reception mode of photodetector operation
time-delay integration photoreceiving device mode. TDI
Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства
42 фоточувствительный элемент [пиксель] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; ФЧЭ ФЭПП: пиксель ФЭПП: Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры, предназначенная для приема оптического излучения.
Примечание — Для ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином «фоточувствительный элемент» используют термин «пиксель», имеющий аналогичное значение.
43 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; вывод ФЭПП: Элемент конструкции корпуса ФЭПП. необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической целью.
44 контакт фоточувствительного элемента [пикселя] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; контакт ФЧЭ ФЭПП; контакт пикселя ФЭПП: Участок ФЧЭ. обеспечивающий электрическую связь вывода ФЭПП с ФЧЭ.
photodetector sensitive element: photodetector pixel
photodetector terminal
photodetector pin
45 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника из» лучения; корпус ФЭПП: Часть конструкции ФЭПП. предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.
46 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводнике» вого приемника излучения; иммерсионный элемент ФЭПП: Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с ФЧЭ ФЭПП и предназначен» ный для концентрации потока излучения.
47 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; подложка ФЭПП: Конструктивный элемент ФЭПП с нанесенным фоточувствительным слоем.
48 входное окно фотоэлектрического полупроводникового прием» ника излучения; входное окно ФЭПП: Оптический элемент, входящий в кон» струкцию корпуса ФЭПП и пропускающий излучение к ФЧЭ.
49 апертурная [холодная] диафрагма фотоэлектрического полупро» водникового приемника излучения; апертурная диафрагма ФЭПП; холод» ная диафрагма ФЭПП: Конструктивный элемент, ограничивающий эффек» тивное поле зрения ФЭПП.
Примечание — Для охлаждаемых ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином «апертурная диафрагма ФЭПП» применяют термин «холодная диафрагма ФЭПП» («cold-stop»}.
50 выход [канал] фотоприемного устройства; выход ФПУ; канал ФПУ: Часть ФПУ. обеспечивающая связь ФПУ с внешней электрической целью.
Примечание — Для ФПУ второго и последующих поколений выходы ФПУ называют «каналами». При передаче по каналам сигналов а цифровом виде ФПУ называют ФПУ с цифровыми выходами.
51 большая интегральная схема считывания; БИС считывания: Интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ.
Примечание — Каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют «ячейкой накопления». Уровень заполнения ячейки накопления — это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда.
52 дефектный фоточувствительный элемент [пиксель]; дефектный ФЧЭ: ФЧЭ ФЭПП. параметры которого не соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.
Примечания
1 Число дефектных элементов определяют их счетом.
2 Долю дефектных ФЧЭ вычисляют по формуле
photodetector package
photodetector optical immersion element
photodetector film base
photodetector input win» dow
photodetector aperture stop; photodetector
cold-stop
photoreceiving device output: photoreceiving device channel
readout integrated circuit; ROIC
bad pixel, dead pixel, defective pixel
*ЙЙФ=^-ЮО%. (1)
где Цкф — число дефектных ФЧЭ, шт.;
М — число всех ФЧЭ. шт.
3 Недефектным ФЧЭ является ФЧЭ ФЭПП. параметры которого соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.
4 Долю недефектных ФЧЭ вычисляют по формуле
---ГГ2±-1М%- (2)
м
5 Для наименования группы дефектных ФЧЭ. расположенных рядом, т. е. имеющих обшив стороны и углы, применяют термин «кластер дефектных ФЧЭ».
Параметры напряжений, сопротивлений, токов фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
53 рабочее напряжение (ФЭПП) Up: Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП. при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе.
Примечание — Для ФПУ второго и последующих поколений применяют термин «напряжение смещения».
54 пробивное напряжение фотодиода Unp: Значение обратного напряжения. не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
55 максимально допустимое напряжение (ФЭПП) Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП. при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.
56 электрическая прочность изоляции (ФЭПП) 1/иэ: Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП. при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции.
57 дифференциальное электрическое сопротивление (ФЭПП) Яд: Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП.
operating voltage (of a photodetector): Uop
breakdown voltage of a photodiode; UBR
maximum admissible voltage (of a photodetec-tor);
insulating strength (of а photodetector): U,
58 статическое сопротивление (ФЭПП)ЯС: Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току.
59 темновое сопротивление (ФЭПП) Rp Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Примечание — На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
60 сопротивление фотодиода при нулевом смещении Ro: Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольтамперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Примечание — На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном попе зрения ФЭПП.
61 световое сопротивление (ФЭПП) Д£: Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
62 темновой ток (ФЭПП) Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Примечание — На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре s эффективном поле зрения ФЭПП.
63 фототок (ФЭПП) /ф: Ток. проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем. обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
Примечание — Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
64 общий ток (ФЭПП) /овщ: Ток ФЭПП. состоящий из темнового тока и фототока.
65 напряжение фотосигнала (ФЭПП) Uc: Изменение напряжения на ФЭПП. вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
differential electrical resistance (of a photodetector); Ra
static resistance (of a photodetector); Rs dark resistance (of a photodetector); Rd
zero bias resistance of a photodiode. RQ
resistance under illumi-nation (of a photodetec-tor); RE. Rh dark current (of a photodetector); ia
photocurrent (of a photodetector); lp
total current (of a photodetector);/^ photoelectric signal voltage (of a photodetector): 4
Примечания
1 Так как по переменному току нагрузка, как правило, подключена параллельно ФЭПП. то напряжение фотосигнала допускается измерять на нагрузке.
2 Для ФПУ второго и последующих поколений за значение сигнала принимают разницу фотоогкликов при заданных уровнях падающего на ФЧЭ ФПУ потока излучения.
66 ток фотосигнала (ФЭПП) /с: Изменение тока е цепи ФЭПП. вызванное photoelectric signal current действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. (of a photodetector); lt
Примечание —Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.
Параметры чувствительности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Термины, установленные в терминологических статьях 68—77. допускается употреблять в различных комбинациях, например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 72 и 73). вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 72 и 74). токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 71 с 67 и 69). При этом буквенные обозначения формируют из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации. Если в тексте указана размерность чувствительности, то допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
67 чувствительность (ФЭПП) S: Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП. вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной.
68 чувствительность (ФЭПП) к потоку излучения .
69 чувствительность (ФЭПП) к световому потоку бф: —.
70 чувствительность (ФЭПП) к облученности [освещенности] S£ (S£):
71 токовая чувствительность (ФЭПП) Sf: —.
72 вольтовая чувствительность (ФЭПП)8У: —.
73 интегральная чувствительность (ФЭПП) Эипт: Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава.
74 монохроматическая чувствительность (ФЭПП) Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению.
75 статическая чувствительность (ФЭПП) Эет: Чувствительность ФЭПП. определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
76 дифференциальная чувствительность (ФЭПП) Эд: Чувствительность ФЭПП. определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
77 импульсная чувствительность (ФЭПП) $имп: Чувствительность ФЭПП. определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции.
responsivity (of а photodetector); S
radiant flux responsivity (of a photodetector); SPa luminous flux responsivity (of a photodetector); S₽v
irradiance responsivity responsivity; illumination responsivity (of a photodetector): S£e (S£v) current responsivity of a photodetector; S, voltage responsivity of a photodetector; Sy total responsivity (of a photodetector); 5ИГ monochromatic responsivity (of a photodetector); Sx
static responsivity (of a photodetector);
differential responsivity (of a photodetector); Sd
pulse responsivity (of a photodetector); Sp
78 наклон люксомической характеристики фоторезистора у. Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor; у
Примечание — Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в цепом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.
Параметры порога и шума фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
79 ток шума (ФЭПП) /ш: Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот.
noise current (of a photodetector); ln noise voltage (of a photodetector); U„
noise equivalent power (of a photodetector and photoreceiving device);
80 напряжение шума (ФЭПП) иш: Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
81 порог чувствительности (ФЭПП. ФПУ) Фп; порог: Значение потока излучения, вызывающего приращение сигнала, равного значению шума.
min»
Примечания
1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения порог чувствительности — это среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигиала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
2 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции так. чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.
unit frequency bandwidth noise equivalent power (of a photodetector); NEP
82 порог чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Фп1; порог в единичной полосе частот: Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения.
83 удельный порог чувствительности (ФЭПП) Ф*п; удельный порог: Порог чувствительности ФЭПП. приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади ФЧЭ.
specific noise equivalent power (of a photodetector); NEP*
detectivity (of a photodetector); D
specific detectivity (of a photodetector); D* noise equivalent temperature difference (of a photodetector); NETO
84 обнаружительная способность (ФЭПП) D: величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП.
85 удельная обнаружительная способность (ФЭПП) D*: Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП.
86 эквивалентная шуму разность температур (ФЭПП); ЭШРТ: Разница температур объекта, излучающего как абсолютно черное тело, вызывающая изменение сигнала ФЭПП. равное шуму.
Примечание —Для ФПУ второго и последующих поколений различают ЭШРТ. определяемое как среднее значение параметра по недефектным элементам, и ЭШРТ. определяемое по изображению испытуемого объекта.
87 радиационный порог чувствительности (ФЭПП) Фп^д: Порог чувствительности ФЭПП. шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры.
noise equivalent power of the background limited infrared photodetector. BLIP: Peup
Примечание —ДляФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в цепом. За значение параметра для ФЛУ а целом принимают среднее значение параметра по недефект-ным элементам.
Параметры спектральной характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
88 длина волны максимума спектральной чувствительности (ФЭПП) Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.
peak spectral response wavelength (of a photodetector); as short-wavelength limit (of a photodetector); AS1
89 коротковолновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП) X': Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0.1 ее максимального значения.
90 длинноволновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП) V: Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0.1 ее максимального значения.
long wavelength limit (of a photodetector);
spectral sensitivity range (of a photo-detector); ДА.
91 область спектральной чувствительности (ФЭПП) &U Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП. в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения.
Геометрические параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
92 эффективная фоточувствительная площадь (ФЭПП) -4^$: Площадь ФЧЭ эквивалентного по фотосигналу ФЭПП. чувствительность которого равномерно распределена по ФЧЭ и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.
effective photosensitive area (of a photodetector); Aeflr
Примечание — Эффективную фоточувствительную площадь м2. вычисляют по формуле
(3)
где SN— номинальное значение локальной чувствительности, отн. ед:
S(x. у) — чувствительность к потоку при облучении ФЧЭ точечным пятном с координатами. отн. ед.
В качестве номинального значения локальной чувствительности S^, как правило. выбирают максимальную чувствительность точки е центре ФЭПП (в точке Хф. у0). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроппаэмами. выбросами чувствигегьности на краях) методику выбора SN указывают дополнительно.
93 плоский угол зрения (ФЭПП) 20: Угол в нормальной к ФЧЭ плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня.
94 эффективное поле зрения (ФЭПП) й,фф: Телесный угол, вычисляемый по формуле
angular field of view (of a photodetector); 20
effective weighted solid angle (of a photodetector);^
А V ** пзффвп----- f J C/c(e, uc 0-0 е.ф (4) где Uc — напряжение фотосигнала ФЭПП (допускается замена параметра исна/е,/р,В; в — угол между направлением падающего излучения и нормалью к ФЧЭ; ф — азимутальный угол. Параметры инерционности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 95 время нарастания (ФЭПП) <о 1 - os: Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0.1 и 0.9 соответственно. 96 время спада (ФЭПЛ)е^ 9_0 Минимальный интервал времени меж* ду точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0.1 и 0.9 соответственно. 97 время установления переходной нормированной характеристики (ФЭПП) по уровню Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики hQ(t) от установившегося значения не превышает Л: (1-Л0(П)5ЛлриГй1усГд. 98 предельная частота (ФЭПП) f0: Частота синусоидально-модулиро-ванного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении. 99 емкость (ФЭПП) С: —. 100 последовательное сопротивление фотодиода Rnocn: Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода. rise time (of a photodetector); tf decay time (of a photodetector); t, set-up time of the normalized transfer characteristic (of a photodetector) cut-off frequency (of a photodetector); capacitance (of a photodetector); C series resistance of the photodiode; Параметры многоэлементного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 101 число элементов (ФЭПП) N: —. number of elements (of a photodetector) Примечание — Для ФПУ второго и последующих поколений число элементов задают в виде формата ФПУ. который показывает число ФЧЭ в матрице или линейке по вертикали и горизонтали. 102 шаг элементов (ФЭПП) h: Расстояние между центрами двух соседних ФЧЭ ФЭПП. 103 межэлементный зазор (многоэлементного ФЭПП) А/: Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП. 104 коэффициент фотоэлектрической связи (многоэлементного ФЭПП) К4с: Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента. определяемого на линейном участке энергетической характеристики. 105 разброс значений параметров (многоэлементкого ФЭПП) Среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам. Примечания 1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения — отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра ФЧЭ в мнотоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. 2 В буквенном обозначении вместо <Х» следует указьвать буквенное обозначение соответствующего параметра. Параметры фототранзистора 106 напряжение на коллекторе фототранэистора U& Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание — Верхние индексы «б» и «э» указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим эмиттером соответственно. pitch of elements (of a photodetector); p element spacing (of a multielement photodetector); Д/ photoelectric coupling coefficient (of a multielement photodetector); Kc spread of parame-ter values (of a multielement photodetector); 5X collector voltage of a phototransistor; U^. Uce 107 напряжение на эмиттере фототранзистора U^, U*: Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранэистора. Примечание — Верхние ющексы «6» и «к» указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим коллектором соответственно. 108 напряжение на базе фототранзистора (S|, U*6: Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранэистора. Примечание — Верхние индексы «э» и «к» указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером или с общим коллектором соответственно. 109 пробивное напряжение коллектор—эмиттер фототранзистора t^pK: Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «э» указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером. 110 пробивное напряжение коллектор—база фототранзистора U* рк: Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранэистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «б» указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. 111 пробивное напряжение эмиттер—база фототранзистора t/*p9: Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «б» указывает на схему включения фототранэистора с общей базой. 112 пробивное напряжение эмиттер—коллектор фототранзистора UJ, : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечания 1 Верхний индекс «к» указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором. 2 На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. 113 темновой ток коллектора фототранзистора Ргк. fi . Р1К: —. Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 114 темновой ток эмиттера фототранзистора Р19, /®9. Р^: —. emitter voltage of a phototransistor; UeB. Uec base voltage of a phototransistor; UBe. UBC coRector—emitters breakdown voltage of a phototransistor; UBR CEQ collector—base breakdown voltage of a phototransistor; UBR CB0 emitter—base breakdown voltage of a phototransistor; UBR £BO emitter—collector breakdown voltage of a phototransistor. UBR EC0 collector dark current of a phototransistor. IC£O, 1сво- k:co emitter dark cunent of a phototransistor; /££O, feeo- ^eco Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 115 темновой ток базы фототранзистора Pl6. /%, P^i —. base dark current of a phototransistor; /eeo. /вас feco Примечание — Верхние индексы «э», «б», «к» указывают на схему включения фототранэистора с общим эмиттером. с общей базой, с общим коллектором соответственно. collector—«miner dark current of a phototrans-*stor; iceo 116 темновой ток коллектор—эмиттер фототранэистора Р1К: Ток е цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «э» указывает на схему включения фототранэистора с общим эмиттером. collector—base dark current of a phototransistor; iCB0 117 темновой ток коллектор—база фототранэистора Ток в цели коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «б» указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. 118 темновой ток эмиттер—база фототранэистора Темновой ток в цели эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. emitter—base dark current of a phototransistor; ^EBO eminer—collector dark current of a phototransistor; ieco Примечание — Верхний индекс «б» указывает на схему включения фототранэистора с общей базой. 119 темновой ток эмиттер—коллектор фототранэистора Р19: Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание — Верхний индекс «к» указывает на схему включения фото-транзистора с общим коллектором. 120 фототок коллектора фототранэистора Рфк. /^ж. Рфл: collector photocurrent of a phototransistor; lC£H, Icbh' icon Примечание — Верхние индексы «э». «б>. «к» указывают на схему включения фототранэистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 121 фототок эмиттера фототранэистора Рф9. /ф3: —. eminer photocurrent of a phototransistor; teeH, ^EBH' fECH Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фототранэистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 122 фототок базы фототранэистора Рф6. Рф6. РфВ: —. base photocurrent of a phototransistor lBEH. lBBir fBCH Примечание — Верхние индексы «э». «б». *к» указывают на схему включения фототранэистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 123 общий ток коллектора фототранэистора ^бщ к, /®в1ЦВ, £бщ к: —. collector total current of a phototransistor: iCE. lCB' lcc Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фототракзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 124 общий ток эмиттера фототранзистора Po6tu 9, 9, /£бш . emitter total current of a phototransistor lEE, lEB, lEC Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фоготранзистора с общим эмигтером. с общей базой, с общим коллектором соответственно. 125 общий ток базы фототранзистора Ровщ 6, fio6ui 6, Го6щ в: —. base total current of a phototransrstor; lee, l6B. l6C Примечание — Верхние индексы «э», «б», «к» указывают на схему включения фоготранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 126 общий ток коллектор—эмиттер фототранзистора f^6u| к: Общий ток коллектор—эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание — Верхний индекс «э» указывает на схему включения фототранзистора с общим эмигтером. 127 общий ток коллектор—база фототранзистора к: Общий ток коллектор—база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание — Верхний индекс «б» указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. 126 токовая чувствительность фототранзистора h*2i, h$3, hK23: Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фоготранзистора с общим эмигтером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. 129 вольтовая чувствительность фототранзистора h9tr ft^3, 3: Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения. вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание — Верхние индексы «э». «б», «к» указывают на схему включения фоготранзистора с общим эмигтером. с общей базой, с общим коллектором соответственно. 130 коэффициент усиления по фототоку фототранзистора Ку$: Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме. collector-emitter total current of a phototransistor; lCEH collector-base total current of a phototransistor; fCBH current responsivity of a pho to trans ts tor voltage responsivity of a phototransistor photocurrent gain factor of a phototransistor Параметры координатного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 131 линейная зона координатной характеристики (координатного ФЭПП) 2Дх: Участок координатной характеристики координатного фотодиода. на котором нелинейность не превышает заданного значения. 132 дифференциальная крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) 5дифф: Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения. 133 статическая крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) S^r: Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения. linear area characteristic (of a coordinate photodetector) differential slope characteristic (of a coordinate photodetector) static slope characteristic (of a coordinate photodetector) 134 нулевая точка (координатного ФЭПП) Хо: Координата энергетического центра светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю. zero point (of a coordinate photodetector); Xo output impedance (of a coordinate photodetector);^ 135 выходное сопротивление (координатного ФЭПП) Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения. Параметры лавинного фотодиода 136 коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода Мт: Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току — к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях. dark current multiplication factor of an avalanche photodiode; Ma photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode; 137 коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода М^: Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание — Если фототок измеряют при засветке всего ФЧЭ. то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке — локальный коэффициент умножения. 136 точность поддержания рабочего напряжения лавинного фото-диода —: Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах. operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photo- .. . SU drode; — operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode; p0 139 температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание — При магых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода: если диапазон изменения температур большой, то получают статический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода. Параметры инжекционного фотодиода gain of an injection photodiode 140 коэффициент усиления инжекционного фотодиода К: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме. relative gain of an injection photodiode 141 коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода К*: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фото-резистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях — напряжении, температуре, фоне. Примечание — Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольтамперной характеристики определяют также отношением токовых чувствиталь-носгей при рабочем напряжении на гмнейном участке, деленном на отношение этих напряжений. Эксплуатационные параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 142 рассеиваемая мощность (ФЭПП) Р: Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения. total power dissipation (of a photodetector): PIof maximum admissible power dissipation (of a photodetector); Pmax critical radiation power (of a photodetector) 143 максимально допустимая рассеиваемая мощность (ФЭПП) Ртах: Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП. при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе. 144 критическая мощность излучения (ФЭПП) Фнрит: Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня. dynamic range (of a photodetector) 145 динамический диапазон (ФЭПП) Д: Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечания 1 Для ФЭПП. нелинейных а области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня. 2 Для ФПУ второго и последующих поколений различают динамический диапазон ФЭПП (ФПУ) и динамический диапазон выходных сигналов ФПУ. spacing response поп-uniformity (of a photodetector) 146 неравномерность чувствительности (ФЭПП) по фоточувстви-тельному элементу • Разность наибольшего и наименьшего значе-Scp ний чувствительности ФЭПП. измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности. resistance unstabilrty coefficient (of a photodetector) 147 нестабильность сопротивления (ФЭПП) • Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению. dark current unstability (of a photodetector) 148 нестабильность темнового тока (ФЭПП) —: Отношение макси-/т мального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания ФЭПП к среднему значению. 149 нестабильность чувствительности (ФЭПП) ; Отношение response unstability (of a photodetector) максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения. температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению. 150 температурный коэффициент фототока (ФЭПП) 4^: Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности). photocurrent temperature coefficient (of a photodetector) light unstability (of a photodetector) 151 световая нестабильность (ФЭПП) v: Изменение светового сопротивления ФЭПП. произошедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении. 152 температура выхода на режим оптической генерации (ФЭПП): —. 153 время выхода на режим (охлаждаемого ФЭПП) f : Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилиза-ции до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня. 154 время автономной работы (охлаждаемого ФЭПП) tpa6 : Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня. optical generation mode temperature (of a photo* detector) cooldown time (of a cooled photodetector): independent operating time (of a cooled photo* detector); t- •ntt Спектральные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 155 спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(X): Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения. 156 абсолютная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП) Sa6c(X): Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП. измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого по* тока излучения. 157 относительная спектральная характеристика чувствительно* сти (ФЭПП) $ОтИ(Х): Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП. отнесенной к значению максимальной монохроматической чуестви* тельности. от длины волны регистрируемого потока излучения. spectral response (of а photodetector): S(X) absolute spectral re* sponse characteristic (of a photodetector). Sa6c(X) relative spectral re* sponse characteristic (of a photodetector); Sre/X) Вольтовые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 156 вольтамперная характеристика (ФЭПП) /(О); ВАХ ФЭПП: Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП. при фиксированном потоке излучения. 159 входная вольтамперная характеристика фототранэистора /вх((/); входная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения. 160 выходная вольтамперная характеристика фототранэистора /,ЫХ(У); выходная ВАХ фототранэистора: Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранэистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения. 161 вольтовая характеристика чувствительности (ФЭПП) S(U): Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения. 162 вольтовая характеристика тока шума (ФЭПП) /ш((/): Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП. 163 вольтовая характеристика напряжения шума (ФЭПП) Ош(10* Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения. приложенного к ФЭПП. 164 вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему. 165 вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода MT(U), Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему. current-voltage characteristic (of a photodetector); /(U) input current-voltage characteristic (of a phototransistor); /1O(U) output current-voltage characteristic (of a phototransistor); /0(U) bias voltage response characteristic (of a pho-tode-tector). S(U) bias noise current characteristic (of a photodetector); /O(U) bias noise voltage characteristic (of a photodetector); иш(Ц) bias detectivity characteristic (of a photodetector); D*(U) bias multiplication factor characteristic (of an avalanche photodiode); Md(U). M^U) Характеристики зависимости параметров фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения от потока излучения 166 энергетическая характеристика фототока (ФЭПП) /ф(Ф): Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП. 167 энергетическая характеристика напряжения фотосигнала (ФЭПП) Ое(Ф): Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения. падающего на ФЭПП. 166 энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора Яе(Ф): Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторези-стор. 169 люксомическая характеристика фоторезистора R^E): Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор. 170 люксамперная характеристика (ФЭПП) /*(Е): Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП. 171 входная энергетическая характеристика фототранзистора (/„(Ф), /ВЖ(Ф): Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. 172 выходная энергетическая характеристика фототранзистора УВХ(Ф): Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. 173 сигнальная характеристика (ФЭПП, ФПУ) 5фЛу(Гнак): Зависимость значения сигнала ФЧЭ ФЭПП или ФПУ (по недефектным элементам) от времени накопления. photocurrent radiant flux characteristic (of a photodetector); /ph(P) photoelectric signal voltage radiant flux characteristic (of a photodetector); US(P) radiant power-static resistance characteristic of a pbotoresistor; RS(P) resistance-illuminance characteristic of a photoresistor; R£(E). Rh(E) photocurrent-illuminance characteristic (of a photodetector); /^(E) input energy characteristic of a phototransistor output energy characteristic of a phototransistor signal characteristic (of a photodetector, of a photoreceiving device) Частотные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 174 частотная характеристика чувствительности (ФЭПП) $(/): Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. 175 спектр тока шума (ФЭПП) /ш(/): Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам. 176 спектр напряжения шума (ФЭПП) (/): Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам. 177 частотная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. frequency response characteristic (of a photodetector); S(f) noise current spectrum (of a photodetector); MO noise voltage spectrum (of a photodetector); specific detectivity frequency dependence (of a photodetector); D'{f) Фоновые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 176 фоновая характеристика светового сопротивления (ФЭПП) resistance under illumi-₽е(ф): Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока из- nation-background radi-лучения фона. ant flux characteristic (of a photodetector); Re(P), W 179 фоновая характеристика чувствительности (ФЭПП) 3(Ф): Зависимость чувствительности ФЭПП от «©модулированного потока излучения фона. 180 фоновая характеристика тока шума (ФЭПП) /Ш(Ф): Зависимость тока шума ФЭПП от «©модулированного потока излучения фона. 181 фоновая характеристика напряжения шума (ФЭПП) U (Ф): За* висимость напряжения шума ФЭПП от немодулироеанного потока излучения фона. 182 фоновая характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот ФП1(Ф): Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона. 183 фоновая характеристика удельной обнаружительной способ* ности (ФЭПП) О‘(Ф): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулироеанного потока излучения фона. responsivity-background radiant flux characteris* tic (of a photodetector); S(P) noise current-back* ground radiant flux characteristic (of a photodetector); in{P) noise voltage-back-ground radiant flux characteristic (of a photodetector); Un(P) NEP-background radiant flux characteristic (of a photodetector) specific detectivity-back-ground radiant flux characteristic (of a photodetector); D*(P) Температурные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 184 температурная характеристика светового сопротивления (ФЭПП) ЯС(Т): 185 температурная характеристика темнового сопротивления (ФЭПП) Яг(Т):—. 186 температурная характеристика темнового тока (ФЭПП) /Г(Т): —. 187 температурная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(T): —. 188 температурная характеристика тока шума (ФЭПП) /Ш(Т): —. 189 температурная характеристика напряжения шума (ФЭПП) 1/ш(Т): —■ 190 температурная характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Фп1(Т): —. 191 температурная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) £>‘(Т): —. 192 температурная характеристика дрейфа нулевой точки (координатного ФЭПП) Х0(Т): Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры. resistance under illumination-temperature characteristic (of a photodetector); R£(T). Rh(T) dark resistance-temperature characteristic (of a photodetector) dark current-temperature characteristic (of a photodetector); /d(T) responsivity-temperature characteristic (of a photodetector); S(7) noise current-temperature characteristic (of a photodetector); /o(7) noise voltage-temperature characteristic (of a photodetector); l/„(T) NEP-temperature characteristic (of a photodetector) specific detectivity-temperature characteristic (of a photodetector); D*(T) zero drift-temperature characteristic (of a coordinate photodetector); X0(D Временные и пространственные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 193 переходная нормированная характеристика (ФЭПП) Отно- normalized transfer шение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к characteristic (of a pho* установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения todetector) в форме единичной ступени. Примечание — Импульс излучения е форме единимой степени описывают выражением при t < О Ф при t 2 О' В общем случае переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид. представленный на рисунке 1. Рисунок 1 194 обратная переходная нормированная характеристика (ФЭПП) normalized inverse hp(0: Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости transfer characteristic от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воз- (of a photodetector) действия излучения. Примечание — Поток излучения при резком прекращении воздействия описывают выражением Фа(0 = Ф># при t & 0 0 при I >0 (6) В общем случае обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид. представленный на рисунке 2. 195 координатная характеристика (координатного ФЭПП) (/ВЫЖР0: Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода. 196 временной дрейф нулевой точки (координатного ФЭПП) Хо(0: дрейф нуля: Смещение нулевой точки координатного фотодиода при лосто* янной температуре в течение заданного интервала времени. 197 распределение чувствительности по фоточувствительному элементу (ФЭПП) S(x. у): Зависимость чувствительности ФЭПП от положе* ния светового зонда с пятном бесконечно малого размера на ФЧЭ. 196 угловая характеристика чувствительности (ФЭПП) 5(0): Зави* симость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости ФЧЭ. 199 время накопления [экспозиции] Гнак: Временной промежуток, за который происходит накопление фототока в ячейке накопления БИС считы-вания. Примечание — Также допускается применять термин «время интегрирования». имеющий аналогичное значение. 200 время задержки фотоотклика при формировании изображения <мдерж; Значение временного интервала с момента поступления излучения на ФПУ до момента появления фотоотклика на выходе ФПУ. coordinate characteristic (of a coordinate photodetector) tune drift of zero point; zero drift (of a coordinate photodetector); X0(t) responsivity surface distribution (of a photodetector); S(x, y) responsivity directional distribution (of a photodetector); 5(G) integration time; exposure time; f, image forming delay; ^delay Алфавитный указатель терминов на русском языке БИС считывания ВАХ фототранзистора входная ВАХ фототранзистора выходная ВАХ ФЭПП время автономной работы время автономной работы охлаждаемого ФЭПП время выхода на режим время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП время задержки фотоотклика при формировании изображения время накопления время нарастания время нарастания ФЭПП время спада время спада ФЭПП время установления переходной нормированной характеристики по уровню к время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к время экспозиции вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения вывод ФЭПП выход фотоприемного устройства выход ФЛУ граница спектральной чувствительности длинноволновая граница спектральной чувствительности коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая диапазон динамический диапазон ФЭПП динамический диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения холодная диафрагма ФЭПП апертурная диафрагма ФЭПП холодная длина волны максимума спектральной чувствительности длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП дрейф нулевой точки временной дрейф нулевой точки координатного ФЭПП временной емкость емкость ФЭПП зазор межэлементный зазор межэлементный многоэлементного ФЭПП зона координатной характеристики координатного ФЭПП линейная зона координатной характеристики линейная канал фотоприемного устройства канал ФПУ контакт пикселя фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения контакт пикселя ФЭПП контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 44 контакт ФЧЭ ФЭПП корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения корпус ФЭПП коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода коэффициент усиления инжекционного фотодиода коэффициент усиления по фототоку фототранзистора коэффициент фототока температурный коэффициент фототока ФЭПП температурный коэффициент фотоэлектрической связи коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП крутизна координатной характеристики дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП статическая крутизна координатной характеристики статическая модуль фотоприемный мощность излучения критическая мощность излучения ФЭПП критическая мощность рассеиваемая мощность рассеиваемая максимально допустимая мощность ФЭПП рассеиваемая мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая наклон люксомической характеристики фоторезистора напряжение коллектор—база фототранзистора пробивное напряжение коллектор—эмиттер фототранзистора пробивное напряжение максимально допустимое напряжение на базе фототранзистора напряжение на коллекторе фототранзистора напряжение на эмиттере фототранзистора напряжение рабочее напряжение фотодиода пробивное напряжение фотосигнала напряжение фотосигнала ФЭПП напряжение ФЭПП максимально допустимое напряжение ФЭПП рабочее напряжение шума напряжение шума ФЭПП напряжение эмиттер—база фототранзистора пробивное напряжение эмиттер—коллектор фототранзистора пробивное неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу неравномерность чувствительности ФЭПП по фоточувствительному элементу нестабильность световая нестабильность сопротивления нестабильность сопротивления ФЭПП нестабильность темнового тока нестабильность темнового тока ФЭПП нестабильность ФЭПП световая нестабильность чувствительности нестабильность чувствительности ФЭПП область спектральной чувствительности область спектральной чувствительности ФЭПП окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное окно ФЭПП входное пиксель дефектный пиксель фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения пиксель ФЭПП площадь фоточувствительная эффективная площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения подложка ФЭПП поле зрения ФЭПП эффективное поле зрения эффективное порог порог в единичной полосе частот порог удельный порог чувствительности порог чувствительности в единичной полосе частот порог чувствительности радиационный порог чувствительности удельный порог чувствительности ФПУ порог чувствительности ФЭПП порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот порог чувствительности ФЭПП радиационный порог чувствительности ФЭПП удельный прибор полупроводниковый фоточувствительный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многослектральный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый прочность изоляции ФЭПП электрическая прочность изоляции электрическая разброс значений параметров разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП разность температур, эквивалентная шуму разность температур ФЭПП, эквивалентная шуму распределение чувствительности по фоточувствительному элементу распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП режим ВЭН ФПУ режим временной задержки накопления режим временной задержки накопления ФПУ режим короткого замыкания режим короткого замыкания ФЭПП режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона ФЭПП режим ОТ ФЭПП режим оптического гетеродинного приема режим оптического гетеродинного приема ФЭПП режим оптической генерации режим оптической генерации ФЭПП режим ОФ ФЭПП режим работы с согласованной нагрузкой режим работы фотодиода лавинный режим работы фотодиода фотогальванический режим работы фототранзистора с плавающей базой режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой режим ТГ ФЭПП режим термической генерации режим термической генерации ФЭПП режим фотодиодный режим холостого хода режим холостого хода ФЭПП сканистор полупроводниковый фоточувствительный сопротивление выходное сопротивление координатного ФЭПП выходное сопротивление световое сопротивление статическое сопротивление темновое сопротивление фотодиода последовательное сопротивление фотодиода при нулевом смещении сопротивление ФЭПП световое сопротивление ФЭПП статическое сопротивление ФЭПП темновое сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное сопротивление электрическое дифференциальное спектр напряжения шума спектр напряжения шума ФЭПП спектр тока шума спектр тока шума ФЭПП способность обнаружительная способность обнаружительная удельная способность ФЭПП обнаружительная способность ФЭПП обнаружительная удельная схема считывания большая интегральная температура выхода на режим оптической генерации температура выхода на режим оптической генерации ФЭПП ток базы фототранзистора общий ток базы фототранзистора темновой ток коллектора фототранзистора общий ток коллектора фототранзистора темновой ток коллектор—база фототранзистора общий ток коллектор—база фототранзистора темновой ток коллектор—эмиттер фототранзистора общий ток коллектор—эмиттер фототранзистора темновой ток общий ток темновой ток фотосигнала ток фотосигнала ФЭПП ток ФЭПП общий ток ФЭПП темновой ток шума ток шума ФЭПП ток эмиттера фототранзистора общий ток эмиттера фототранзистора темновой ток эмиттер—база фототранзистора темновой ток эмиттер—коллектор фототранзистора темновой точка координатного ФЭПП нулевая точка нулевая точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода угол зрения плоский угол зрения ФЭПП плоский устройство фотоприемное устройство фотоприемное гибридное устройство фотоприемное многоспектральное устройство фотоприемное монолитное устройство фотоприемное одноэлементное устройство фотоприемное охлаждаемое устройство фотоприемное с внутренней коммутацией многоэлементное устройство фотоприемное с разделенными каналами многоэлементное фотодиод фотодиод инжекционный фотодиод лавинный фотодиод с барьером Шоттки фотодиод с гетеропереходом фоторезистор фототок фототок базы фототранзистора фототок коллектора фототранзистора фототок ФЭПП фототок эмиттера фототранзистора фототранзистор фототранзистор биполярный фототранзистор полевой ФПУ ФПУ гибридное ФПУ многоспектральное ФПУ монолитное ФПУ одноэлементное ФПУ охлаждаемое ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное ФПУ с разделенными каналами многоэлеменгное ФЧЭ дефектный ФЧЭ ФЭПП ФЭПП ФЭПП гетеродинный ФЭПП иммерсионный ФЭПП координатный ФЭПП многоспектральный ФЭПП многоэпеменгный ФЭПП одноэлементный ФЭПП охлаждаемый характеристика вольтамлерная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП температурная характеристика дрейфа нулевой точки температурная характеристика координатная характеристика координатного ФЭПП координатная характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая характеристика люксамперная характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая характеристика напряжения фотосигнала энергетическая характеристика напряжения шума вольтовая характеристика напряжения шума температурная характеристика напряжения шума фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП температурная характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая характеристика нормированная переходная характеристика нормированная переходная обратная характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот температурная характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая характеристика светового сопротивления температурная характеристика светового сопротивления фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая характеристика сигнальная характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая характеристика темнового сопротивления температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная характеристика темнового тока температурная характеристика темнового тока ФЭПП температурная характеристика тока шума вольтовая характеристика тока шума температурная характеристика тока шума фоновая характеристика тока шума ФЭПП вольтовая характеристика тока шума ФЭПП температурная характеристика тока шума ФЭПП фоновая характеристика удельной обнаружительной способности вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности температурная характеристика удельной обнаружительной способности фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная характеристика удельной обнаружительной способности частотная характеристика фоторезистора люксомическая характеристика фототока ФЭПП энергетическая характеристика фототока энергетическая характеристика фототранзистора вольтамперная входная характеристика фототранзистора вольтамперная выходная характеристика фототранзистора энергетическая входная характеристика фототранзистора энергетическая выходная характеристика ФПУ сигнальная характеристика ФЭПП вольтамперная характеристика ФЭПП люксамперная характеристика ФЭПП нормированная переходная характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная характеристика ФЭПП сигнальная характеристика чувствительности вольтовая характеристика чувствительности спектральная характеристика чувствительности спектральная абсолютная характеристика чувствительности спектральная относительная характеристика чувствительности температурная характеристика чувствительности угловая характеристика чувствительности фоновая характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП спектральная характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная характеристика чувствительности ФЭПП температурная характеристика чувствительности ФЭПП угловая характеристика чувствительности ФЭПП фоновая характеристика чувствительности ФЭПП частотная характеристика чувствительности частотная частота предельная частота ФЭПП предельная число элементов число элементов ФЭПП чувствительность чувствительность вольтовая чувствительность дифференциальная чувствительность импульсная чувствительность интегральная чувствительность к облученности чувствительность к освещенности чувствительность к потоку излучения чувствительность к световому потоку чувствительность монохроматическая чувствительность статическая чувствительность токовая чувствительность фототранзистора вольтовая чувствительность фототранзистора токовая чувствительность ФЭПП чувствительность ФЭПП вольтовая чувствительность ФЭПП дифференциальная чувствительность ФЭПП импульсная чувствительность ФЭПП интегральная чувствительность ФЭПП к облученности чувствительность ФЭПП к освещенности чувствительность ФЭПП к потоку излучения чувствительность ФЭПП к световому потоку чувствительность ФЭПП монохроматическая чувствительность ФЭПП статическая чувствительность ФЭПП токовая шаг элементов шаг элементов ФЭПП элемент фоточувствительный дефектный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный элемент ФЭПП иммерсионный ЭШРТ pin-фотодиод Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке absolute spectral response characteristic angular field of view avalanche mode of photodiode operation avalanche photodiode back-biased operation mode background limited mode bad pixel base dark current of a phototransistor base photocurrent of a phototransistor base total current of a phototransistor base voltage of a phototransistor bias detectivity characteristic bias multiplication factor characteristic bias noise current characteristic bias noise voltage characteristic bias voltage response characteristic bipolar phototransistor BLIP breakdown voltage of a photodiode camera camera module capacitance colector—base breakdown voltage of a phototrensistor colector—base dark current of a phototranststor colector—base total current of a phototransistor colector dark current of a phototransistor colector—emitter dark current of a phototransistor colector—emitters breakdown voltage of a phototransistor colector—emitter total current of a phototransistor colector photocurrent of a phototranststor colector total current of a phototransistor colector voltage of a phototransistor cooldown time cooled photodetector cooled photoreceiving device coordinate characteristic critical radiation power current responsivity of a photodetector current responsivity of a photolransistor current-voltage characteristic cut-off frequency dark current dark current multiplication factor of an avalanche photodiode dark current-temperature characteristic dark current unstability dark resistance dark resistance-temperature characteristic dead pixel decay time defective pixel detectivity differential electrical resistance differential responsivity differential slope characteristic dynamic range effective photosensitive area effective weighted solid angle element spacing emitter—base breakdown voltage of a phototransistor emitter—base dark current of a phototransistor emitter—collector breakdown voltage of a phototransistor emitter—collector dark cunent of a phototransistor emitter dark current of a phototransistor emitter photocurrent of a phototransistor emitter total current of a phototransistor emitter voltage of a phototransislor exposure time field effect phototransistor floating-base mode of phototransistor operation frequency response charactensbc gain of an injection photodiode heterodyne photodetector heterodyne reception mode of photodetector operation heterojunction photodiode hybrid photoreceiving device illuminance-resistance characteristique stope of a photoresistor illumination responsivity image forming delay immersed photodetector independent operating time injection photodiode input current-voltage characteristic input energy characteristic of a phototransislor insulating strength integration time irradiance responsivity responsivity light unstability linear area characteristic long wavelength limit luminous flux responsivity matched impedance mode of photodetector operation maximum admissible power dissipation maximum admissible voltage monochromatic responsivity monolictical photoreceiving device multi-band photodetector multi-band photoreceiving device multi-element photodetector multi-element photoreceiving device with internally commutation multi-element pbotoreceivmg device with separate channels NEP-background radiant flux characteristic NEP-temperature characteristic NETD noise current noise current-background radiant flux characteristic noise current spectrum noise current-temperature characteristic noise equivalent power noise equivalent power of the background limited infrared photodetector noise equivalent temperature deference noise voltage noise voltage spectrum noise voltage-temperature characteristic normalized inverse transfer characteristic normalized transfer characteristic number of elements open-circuit mode of photodetector operation operating voltage noise voltage-background radiant fiux characteristic operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode optical generation mode optical generation mode temperature output current-voltage characteristic output energy characteristic of a phototransistor output impedance peak spectral response wavelength photoconductive cell photocurrent photocurrent gain factor of a phototransistor photocurrent-illuminance characteristic photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode photocurrent radiant flux characteristic photocurrent radiant flux characteristic photocurrent temperature coefficient photodetector photodetector aperture stop photodetector cold-stop photodetector film base photodetector input window photodetector optical immersion element photodetector package photodetector pin photodetector pixel photodetector sensitive element photodetector terminal photodiode photoelectric coupling coefficient photoelectric semiconducting detector photoelectric signal current photoelectric signal voltage photoelectric signal voltage radiant flux characteristic photoreceiving device photoreceiving device channel photoreceiving device output photoresistor photosensitive semiconductor device photosensitive semiconductor scanistor phototransistor photovoltaic mode of photodiode operation pin-photodiode pitch of elements position-sensitive photodetector pulse responsivity radiant flux responsivity radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor readout integrated circuit relative gain of an injection photodiode relative spectral response characteristic resistance-illuminance characteristic of a photoresistor resistance under illumination resistance under illumination-background radiant flux characteristic resistance under illumination-temperature characteristic resistance unstability coefficient response unstability responsivity responsivity-background radiant flux characteristic responsivity directional distribution responsivity surface distribution responsivity-temperature characteristic rise lime ROIC Schottky-barrier photodiode series resistance of the photodiode set-up time of the normalized transfer characteristic short-circuit mode of photodetector operation short-wavelength limit signal characteristic single-element photodetector single-element photoreceiving device spacing response non-uniformity specific detectivity specific detectivity-background radiant flux characteristic specific detectivity frequency dependence specific detectivity-temperature characteristic specific noise equivalent power spectral response spectral sensitivity range spread of parameter values static resistance static responsivity static slope characteristic TDI thermal generation mode time-delay integration photoreceiving device mode time drift of zero point total current total power dissipation total responsivity unit frequency bandwidth noise equivalent power voltage responsivity of a photodetector voltage responsivity of a phototransistor zero-bias mode of pbotodtode operation zero bias resistance of a photodiode zero drift zero drift-temperature characteristic zero point д — динамический диапазон ФЭПП 145 ф Крит — критическая мощность излучения ФЭПП 144 ^гпят ^Х min порог чувствительности ФЭПП. ФПУ 81 NEP' удельный порог чувствительности ФЭПП 83 ф"~ PBLtP радиационный порог чувствительности ФЭПП 87 *П1 NEP порог чувствительности ФЭПП е единичной полосе частот 82 *п1(П — температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП 190 ФП1(Ф) фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот 182 Л,фф Aeff эффективная фогочувствительная площадь ФЭПП 92 С C емкость ФЭПП 99 0 D обнаружительная способность ФЭПП 84 (У D' удельная обнаружительная способность ФЭПП 85 о-(Л D*(0 частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП 177 £Г(Т) D'(T) температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП 191 D’(U) D*(U) вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП 164 (У(Ф) D’[P) фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП 183 f9 предельная частота ФЭПП 98 h P шаг элементов ФЭПП 102 />о(О — переходная нормированная характеристика ФЭПП 193 мо — обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП 194 Л’з- On — вольтовая чувствительность фототранэистора 129 Огз- OJs — токовая чувствительность фототранэистора 128 ^общ ?toi общий ток ФЭПП 64 'с 's ток фотосигнала ФЭПП 66 h la темновой ток ФЭПП 62 l/T) температурная характеристика темнового тока ФЭПП 186 ь !P фототок ФЭПП 63 /« l„ ток шума ФЭПП 79 6 общ к !сен общий ток коллектор—база фототранэистора 127 п. ,ceo темновой ток коллектор—база фототранэистора 117 п, !ЕВО темновой ток эмиттер—база фототранэистора 118 l£CO темновой ток эмиттер—коллектор фототранэистора 119 lCEO темновой ток коллектор—эмиттер фототранэистора 116 ^обша ^CEH общий ток коллектор—эмиттер фототранэистора 126 ^общб* ^общ 6’ ^общб {6Е- ‘вб- f6C общий ток базы фототранэистора 125 a fi л ’обща' 'обща' 'обща lEE- l£8' !EC общий ток эмиттера фототранэистора 124 Я . J6 . F та' та та {EE& *£80 fECX> темновой ток эмиттера фототранэистора 114 ^а1 ^§>а lE£» tEBH- fECH фототок эмиттера фототранэистора 121 /фб. /ф«. /фб ?вЕН' ,6BH- *ВСН фототок базы фототранэистора 122 '’тб^тб.ъ р 6 р ’тк' *ТК' *тк ^££О- ^ввн- ^всо темновой ток базы фототранзистора Iqeq. 1с&> ^ССО темновой ток коллектора фототранзистора 115 113 'фк' ^фк’ ^фк >С£Н' *C8W 1ССН фототок коллектора фототранзистора 120 ^общ К' ^общ К’ «збщ ■ »Cf • fce- fcc общий ток коллектора фототранзистора 123 -^т т — нестабильность темнового тока ФЭПП 148 1 /(U) «to вольтамперная характеристика ФЭПП 158 w входная вольтамперная характеристика фототранзистора 159 w выходная вольтамперная характеристика фототранзистора 160 U«> — выходная энергетическая характеристика фототранзистора 172 (,(£) № люксамперная характеристика ФЭПП 170 м®» энергетическая хэрактеристиса фототока ФЭПП 166 U0 MO спектр тока шума ФЭПП 175 'шСП мл температурная характеристика тока шума ФЭПП 188 'nM вольтовая характеристика тока шума ФЭПП 162 /ш(Ф> 'n(R) фоновая характеристика тока шума ФЭПП 180 к — коэффициент усиления инжекционного фотодиода 140 «УФ — коэффициент усиления по фототоку фототранзистора 130 «♦с «С коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП 104 К коэффициент относительного инжекционного усиления инжекци- 141 А/ Si оююго фотодиода межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП 103 «т Md коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода 136 мв коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода 137 МТ(У). Мф(У) Ц/to. M^U) вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного 165 N фотодиода число элементов ФЭПП 101 Р R«f рассеиваемая мощность ФЭПП 142 Яяык Ro выходное сопротивление координатного ФЭПП 135 Яд Rd дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП 57 *Е RE’RH световое сопротивление ФЭПП 61 *£<Е) R^E}. R^E} люксомическая характеристика фотореэистора 169 «НТ) «Е<Л. Ян(П температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП 184 Яе(Ф) Я£<Р). R^P} фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП 178 ^посл Rs последовательное сопротивление фотодиода 100 «С Rs статическое сопротивление ФЭПП 58 яе(Ф) Rs(R) энергетическая характеристика статического сопротивления фото- 168 «т Rd резистора темновое сопротивление ФЭПП 59 ЯДТ) — температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП 185 ^тах Rmax максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП 143 Ro Ro сопротивление фотодиода при нулевом смещении 60 ЛЯ(() — нестабильность сопротивления ФЭПП 147 я S s чувствительность ФЭПП 67 W-) абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП 156 зд Srf дифференциальная чувствительность ФЭПП 76 е дифф — дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП 132 ч чувствительность ФЭПП к освещенности 70 S£3 ч чувствительность ФЭПП к облученности 70 С ''имп SP имлугъсная чувствительность ФЭПП 77 $икт интегральная чувствительность ФЭПП 73 S s^) относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП 157 Зст ss, статическая чувствительность ФЭПП 75 $стат — статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП 133 3ФПУ — сигнальная характеристика 173 S® ч чувствительность ФЭПП к световому потоку 69 $ФЭ Sp. чувствительность ФЭПП к потоку излучения 68 S, s. токовая чувствительность ФЭПП 71 su S, вольтовая чувствительность ФЭПП 72 ч sx монохроматическая чувствительность ФЭПП 74 S(f) S(/) частотная характеристика чувствительности ФЭПП 174 S(T) S(7) температурная характеристика чувствительности ФЭПП 187 5(У) S(U) вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП 161 S(xy) S(x.y) распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП 197 SfO) S(©) угловая характеристика чувствительности ФЭПП 198 sw S(X) спектральная характеристика чувствительности ФЭПП 155 S(0) StP) фоновая характеристика чувствительности ФЭПП 179 AS(X,y) — неравномерность чувствительности по фоточувствительному эле- 146 Sep менту ФЭПП f~x I", co время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП 153 ^мдерж ldotay время задержки фотоогклика при формировании изображения 200 *>нак A время накопления [экспозиции] 199 Арабах время автономной работы охлаждаемого ФЭПП 154 Ум(ФМвх(Ф) — входная энергетическая характеристика фототранзистора 171 WO — координатная характеристика координатного ФЭПП 195 Ц электрическая прочность изоляции ФЭПП 56 Чф ивя пробивное напряжение фотодиода 54 у₽ ич> рабочее напряжете ФЭПП 53 Ус 4, напряжение фотосигнала ФЭПП 65 УС(Ф) ЩР) энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП 167 Уш 4. напряжение шума ФЭПП 80 ад W) спектр напряжения шума ФЭПП 176 уш(Т) W> температурная характеристика напряжения шума ФЭПП 189 ад) фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП 181 Um„ максимально допустимое напряжение ФЭПП 55 U6RC00 пробивное напряжение коллектор—база фототранзистора 110 «и U№EBO пробивное напряжение эмиттер—база фототранзистора 111 ^пр, иВЙ£СО пробивное напряжение эмиттер—коллектор фототранзистора 112 ^пр» U6RC£O пробивное напряжение коллектор—эмиттер фототранзистора 109 u®.u? “се. “се напряжение на коллекторе фототранзистора 106 <4 “евУеС напряжение на эмиттере фототрэнзистора 107 u*.u& иВЕ- UBC напряжение на базе фототрэнзистора 108 UJU) иди) вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП 163 ди ди точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода 138 и и лис (Г) — нестабильность чувствительности ФЭПП 149 Uc *0 *0 нулевая точка координатного ФЭПП 134 Х(Т) температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП 192 ХОЮ хош координатная характеристика координатного ФЭПП 196 «т — температурный коэффициент фототока ФЭПП 150 Ри Ри температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода 139 т Y наклон люксомичесхой характеристики фоторезисгора 78 S. «х разброс значений параметров многоэлемектного ФЭПП 105 ^пах ч длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП 88 1 коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП 89 Г Чг длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП 90 лл дх область спектральной чувствительности ФЭПП 91 V — световая нестабильность ФЭПП 151 Чсъ время установления переходной нормированной характеристики 97 ФЭПП по уровню к т0.1- 0.9 'л время нарастания ФЭПП 95 Т0.9 - 0.1 tf время слада ФЭПП 96 2Дг — линейная эона координатной характеристики координатного ФЭПП 131 2₽ 2₽ плоский угол зрения ФЭПП 93 °»ФФ о,. эффективное поле зрения ФЭПП 94 Приложение А (справочное) Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта А.1 электромагнитное излучение: Процесс испускания электромагнитных волн. electromagnetic radiation Примечание — Под термином «электромагнитное излучение» следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны. А.2 оптическое излучение: Электромагнитное излучение, характеризующееся optical radiation длинами волн, расположенными в диапазоне 5 ■ 10*® -10*3 м. Примечание — В указаююм диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучают оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем. А.З ультрафиолетовое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 -10"® - 4 ■ 10~7 м. А.4 видимое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4 - 10*7 -7.6 -10*7 м. А.5 инфракрасное излучение; ИК: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6 -10-7 - 10-7 м. Примечание — Инфракрасное излучение разделяют на поддиапазоны: • ближний ИК диапазон 7.6 -10"7-10"*м; • коротковолновый ИК диапазон 10** - 2.5 -10~* м; • средневолновый ИК диапазон 3 -10** - 5 - 10** м; • длинноволновый ИК диапазон 8 - 10**- 1.4 - 10-5 м. A.6 равновесное излучение: Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии. А.7 смодулированное излучение: Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения. А.8 модулированное излучение: Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов. А.9 фотоэлектрический эффект; фотоэффект: Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов. А.10 внутренний фотоэлектрический эффект; внутренний фотоэффект: Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов. А.11 эффект проводимости: Изменение электрического сопротивления полупроводника. обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом. А.12 фотогальванический эффект: Возникновение электродвижущей силы (ЭДС) в электронно-дырочном переходе или тока при включении перехода в электрическую цель, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. Примечание — Под термином «фотоносители» следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения. A.13 фотопроводимость: Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения. А.14 собственная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости —дырка проводимости, возникающей лсд действием оптического излучения. А.15 примесная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения. А.16 фотоэлектродвижущая сила; фото-ЭДС: Электродвижущая сипа, возникающая в полупроводнике на р - п переходе под действием оптического излучения. ultraviolet radiation visible radiation infrared radiation: IR equilibrium radiation unmodulated emission modulated radiation photoelectric effect; photoeffect internal photoelectric effect: internal photoeffect conduction effect photovoltaic effect photoconductivity intrinsic photoconductivity impurity photoconductivity photoelectromotive force А.17 фотосигнал: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание — Данный термин применим кФЭПП и ФПУ первого поколения. А.18 фотоотклик: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание — Данный термин применим к ФПУ второго и последующих поколений. pholosignal photoresponse УДК 535.247.4.089.5:006.354 ОКС 31.080.01 Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения Редактор Е.В. Якубова Технический редактор В.Н. Прусакова Корректор ЕЛ- Дульнева Компьютерная верстка Е.О. Асташина Сдано в набор 13.10.202! Подписано в печать 10.11.2021. Формат 60’84И. Гарнитура Ариал. Усп. печ. л. 5.12. Уч.-изд. л. 4.62. Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта Создано о единичном исполнении в ФГБУ кРСТ» . 117416 Москва, Нахимовский пр-т, д. 3t. к. 2. www.90slinfo.ru info@gostnfo.ru
Алфавитный указатель буквенных обозначений