ГОСТ 24459-80
Группа Э02
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Основные параметры
Integrated circuits for storages and their elements.
Basic parameters
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. N 5776 срок введения установлен с 01.01.82
ВЗАМЕН ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп.3 и 4)
ПЕРЕИЗДАНИЕ. Март 1987 г.
1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.
Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:
для запоминающих устройств - число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;
для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах - частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);
для усилителей воспроизведения - максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;
для формирователей разрядного и адресного токов - максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.
2. Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл.1.
________________
* В табл.1-7 отмечены знаком "+", для вновь разрабатываемых микросхем знаком "х".
Таблица 1
Число разрядов в | Число информационных слов | |||||||||||||||||
2 | 4 | 8 | 16 | 64 | 256 | 1 | 4 | 8 | 16 | 32 | 64 | 256 | 512 | 1024 | 4096 | 8192 | 16384 | |
1 | + | + | + | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х | ||||
2 | + | + | х | х | х | х | х | |||||||||||
4 | + | + | + | + | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х | х | |||
8 | + | + | + | х | х | х | х | х | ||||||||||
16 | х | х | ||||||||||||||||
Примечание. В табл.1 и 2 =1024.
3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл.2.
Таблица 2
Число разрядов в информационном слове | Число информационных слов | ||||||||||||
32 | 256 | 512 | 1 | 2 | 4 | 8 | 16 | 32 | 64 | 128 | 256 | 512 | |
1 | + | + | x | ||||||||||
2 | + | ||||||||||||
4 | x | + | x | x | x | x | x | x | х | x | x | x | |
8 | + | x | x | x | x | x | x | x | x | x | x | ||
16 | x | x | x | х | x | ||||||||
32 | x | x | |||||||||||
4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.3.
Таблица 3
Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем | Время выборки, нс | |||||||||||||
2,5 | 4,0 | 6,3 | 10 | 16 | 25 | 40 | 63 | 100 | 160 | 250 | 400 | 630 | 1000 | |
На основе эмиттерно-связанной логики | х | х | х | х | х | х | х | |||||||
На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики | х | х | х | х | х | х | + | + | + | + | ||||
На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" | х | х | х | х | х | х | х | х | + | + | + | |||
На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" | х | х | х | х | х | х | х | х | х | + | + | |||
5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств и постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.4.
Таблица 4
Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем | Время выборки, нс | |||||||||||||
2,5 | 4,0 | 6,3 | 10 | 16 | 25 | 40 | 63 | 100 | 160 | 250 | 400 | 630 | 1000 | |
На основе эмиттерно-связанной логики | х | х | х | х | х | х | + | |||||||
На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики | х | х | х | х | + | + | + | |||||||
На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" | х | х | х | х | х | х | + | + | + | |||||
На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" | х | х | х | х | х | х | + | + | + | |||||
6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.5.
Таблица 5
Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем | Время выборки, нс | |||||||||
63 | 100 | 160 | 250 | 400 | 630 | 1000 | 1600 | 2500 | 4000 | |
На аморфных структурах | х | х | х | х | + | |||||
На основе структур "металл-диэлектрик-полупро- водник" с лавинной инжекцией заряда | х | х | х | х | + | + | ||||
На основе структур "металл-нитрид-окисел-полу- проводник" | х | х | х | х | х | + | + | + | ||
7. Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.
8. Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.
9. Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл.6.
Таблица 6
Максимальное среднее время задержки распространения, нс | Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ | |||
1,25 | 5,00 | 12,5 | 20,0 | |
25 | х | |||
40 | х | + | + | |
63 | + | |||
10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл.7.
Таблица 7
Максимальное среднее время задержки распространения, нс | Максимальный выходной импульсный ток, мА | ||||
80 | 200 | 315 | 500 | 1250 | |
16 | х | ||||
25 | х | х | |||
40 | х | + | |||
63 | х | + | |||
100 | + | ||||
11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл.3-7 и п.7, должно находиться в пределах ±20%.
Текст документа сверен по:
М.: Издательство стандартов, 1987