ГОСТ Р 52081-2003
Группа Т51
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ
Метод магнитной памяти металла.
Термины и определения
Non-destructive testing. Method of metal magnetic memory. Terms and definitions
ОКС 77.040
ОКСТУ 0009
Дата введения 2004-04-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика"
2 ПРИНЯТ И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Госстандарта России от 10 июня 2003 г. N 191-ст
3 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Введение
Установленные в стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Приведенные определения можно при необходимости изменить, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся к определяемому понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области неразрушающего метода контроля методом магнитной памяти металла.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла, входящих в сферу работ по стандартизации и / или использующих результаты этих работ.
2 Термины и определения
1 магнитная память металла; МПМ: Последствие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок.
Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле и другие внешние поля в области Релея.
2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокации под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла.
Примечание - СМПР характеризует МПМ.
3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений.
4 магнитодислокационный гистерезис: Гистерезис, обусловленный закреплением доменных границ на скоплениях дислокации в слабом магнитном поле.
5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия (): Минимальное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами скольжения слоев металла, возникающее при потере устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок.
Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки.
6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия методом магнитной памяти металла.
7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними.
8 магнитный показатель деформационной способности металла (): Отношение максимального значения градиента СМПР к среднему значению.
9 предельный магнитный показатель деформационной способности металла (): Отношение максимального значения градиента СМПР, соответствующего пределу прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, соответствующему пределу текучести металла.
10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем.
11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР (): Расстояние между двумя каналами измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика.
12 график СМПР: Магнитограмма, отображающая изменение СМПР по длине контролируемого участка.
13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния методом магнитной памяти металла.
14 калибровка аппаратуры методом МПМ: Настройка датчиков измерений магнитного поля рассеяния на эталонной катушке и измерения длины на эталонной мере длины методом магнитной памяти металла.
15 установка режима работы аппаратуры методом МПМ: Настройка аппаратуры по пунктам главного меню прибора в соответствии с методом МПМ.
16 помехи при измерениях методом МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля.
Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля:
- источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля;
- наличие на объекте контроля постороннего ферромагнитного изделия;
- наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля;
- наличие искусственный намагниченности металла
Алфавитный указатель терминов
гистерезис магнитодислокационный | 4 |
градиент СМПР | 7 |
график СМПР | 12 |
дискретность записи напряженности СМПР | 13 |
калибровка аппаратуры методом МПМ | 14 |
канал измерений СМПР | 10 |
метод магнитной памяти металла | 3 |
метод МПМ | 3 |
МПМ | 1 |
напряженность СМПР | 6 |
память металла магнитная | 1 |
показатель деформационной способности металла магнитный | 8 |
показатель деформационной способности металла предельный | 9 |
поле рассеяния изделия собственное магнитное | 2 |
помехи при измерениях методом МПМ | 16 |
размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия критический | 5 |
расстояние базовое между двумя каналами измерений СМПР | 11 |
СМПР | 2 |
установка режима работы аппаратуры методом МПМ | 15 |
Текст документа сверен по:
М.: ИПК Издательство стандартов, 2003