ГОСТ 17021-88
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины и определения
Integrated circuits. Terms and definitions
МКС 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6201
Дата введения 1990-01-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ
Е.Ю.Елпидифорова, В.А.Ушибышев, Л.Р.Хворостьян
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.06.88 N 2190
3. Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 1623-79
4. ВЗАМЕН ГОСТ 17021-75
5. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий интегральных микросхем.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов - синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин | Определение |
1. Интегральная микросхема D. Integrierter Schaltkreis E. Integrated microcircuit F. Microcircuit | Микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой таким образом, что с точки зрения технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство рассматривается как целое. Примечание. Под микросхемой понимают микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обычной схемы |
2. Элемент интегральной микросхемы Элемент D. Element des integrierten Schaltkreises E. Circuit element F. | Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Примечание. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др. |
3. Компонент интегральной микросхемы Компонент D. Bauelement des integrierten Schaltkreises E. Circuit component F. Composant de circuit | Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации |
4. Полупроводниковая интегральная микросхема Полупроводниковая микросхема Ндп. Твердая схема D. Integrierter Halbleiterschaltkreis E. Semiconductor integrated circuit F. Circuit | Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала |
5. Пленочная интегральная микросхема Пленочная микросхема D. Integrierter Filmschaltkreis E. Film integrated circuit F. Circuit | Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными |
6. Гибридная интегральная микросхема Гибридная микросхема D. Integrierter Hybridschaltkreis E. Hybrid integrated circuit F. Circuit | Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы |
7. Аналоговая интегральная микросхема Аналоговая микросхема D. Analoger integrierter Schaltkreis E. Analogue integrated circuit F. Circuit | Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции |
8. Цифровая интегральная микросхема Цифровая микросхема Ндп. Логическая микросхема D. Digitaler integrierter Schaltkreis E. Digital integrated circuit F. Circuit | Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции |
9. Корпус интегральной микросхемы Корпус D. E. Package F. Boitier | Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов |
10. Подложка интегральной микросхемы Подложка D. Substrat Hybrid und Filmschaltkreise E. Substrate F. Substrat | Заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок |
11. Полупроводниковая пластина Пластина D. Halbleiterscheibe | Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем |
12. Кристалл интегральной микросхемы Кристалл D. Chip des integrierten Schaltkreises E. Chip F. Pastille | Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки |
13. Базовый кристалл интегральной микросхемы Базовый кристалл | Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления межэлементных соединений |
14. Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы БМК | Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением базовых ячеек |
15. Базовая ячейка кристалла интегральной микросхемы Базовая ячейка | Совокупность несоединенных и (или) соединенных между собой элементов, являющаяся основой для построения базового кристалла интегральной микросхемы. Примечание. Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И-НЕ (ИЛИ - НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы |
16. Функциональная ячейка базового кристалла интегральной микросхемы Функциональная ячейка | Совокупность элементов базового кристалла интегральной микросхемы, электрически соединенных в пределах одной или нескольких базовых ячеек для реализации одной или нескольких самостоятельных функций |
17. Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы Библиотека функциональных ячеек | Совокупность документов, содержащих перечень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, их основные электрические параметры, топологическое описание и логические модели. Примечание. Информация о функциональных ячейках может содержаться на машинных носителях |
18. Контактная площадка интегральной микросхемы Контактная площадка D. | Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе интегральной микросхемы, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов |
19. Бескорпусная интегральная микросхема Бескорпусная микросхема D. | Кристалл интегральной микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку |
20. Вывод бескорпусной интегральной микросхемы Вывод D. Anschluss des E. Terminal F. Borne | Провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями |
21. Свободный вывод интегральной микросхемы Свободный вывод E. Blank terminal F. Borne non | Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорного контакта для внешнего монтажа, не влияя на работу интегральной схемы |
22. Неиспользуемый вывод интегральной микросхемы Неиспользуемый вывод E. Non-usable terminal F. Borne non | Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла |
23. Плотность упаковки интегральной микросхемы Плотность упаковки D. Packungsdichte des integrierten Schaltkreises | Отношение суммы элементов интегральной микросхемы и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему интегральной микросхемы. Примечание. Объем выводов не учитывают |
24. Степень интеграции интегральной микросхемы Степень интеграции D. Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises | Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Примечание. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле
где - коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; - число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему |
25. Интегральная микросхема | Интегральная микросхема, содержащая от 10 до 10 элементов и (или) компонентов включительно. Примечание. В настоящее время существуют интегральные микросхемы 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции |
26. Малая интегральная микросхема МИС | Интегральная микросхема, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включительно |
27. Средняя интегральная микросхема СИС | Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 100 до 500 - для аналоговых интегральных микросхем |
28. Большая интегральная микросхема БИС | Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 500 для аналоговых интегральных микросхем |
29. Сверхбольшая интегральная микросхема СБИС | Интегральная микросхема, содержащая свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50000 - для цифровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше 10000 - для аналоговых интегральных микросхем. Примечание. К цифровым интегральным микросхемам с регулярной структурой построения относят схемы запоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов. К цифровым интегральным микросхемам с нерегулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств. |
30. Сверхскоростная интегральная микросхема ССИС | Цифровая интегральная микросхема, функциональное быстродействие которой не менее 1·10 Гц/см на 1 логический элемент. Примечание. Под функциональным быстродействием понимают произведение рабочей частоты логического элемента, равной обратному учетверенному максимальному значению среднего времени задержки распространения сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла |
31. Тип интегральной микросхемы | Интегральная микросхема конкретного функционального назначения и определенного конструктивно-технологического и схемотехнического решения и имеющая свое условное обозначение |
32. Типономинал интегральной микросхемы | Интегральная микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа одним или несколькими параметрами и требованиями к внешним воздействующим факторам |
33. Серия интегральных микросхем Серия D. Baureihe der integrierten Schaltkreise | Совокупность типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной электрической и, при необходимости, информационной и программной совместимостью и предназначенных для совместного применения. Примечание. В частном случае серию могут образовывать один или несколько типов микросхем, выполняющих одинаковые функции и отличающихся одним или несколькими электрическими параметрами |
34. Группа типов интегральных микросхем | Совокупность типов интегральных микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами |
35. Микропроцессорная интегральная микросхема Микропроцессорная микросхема Е. Microprocessor integrated circuit F. Microprocesseur a circuit | Интегральная микросхема, выполняющая функцию процессора или его части. Примечание. Частным случаем является микропроцессорная секция |
36. Микропроцессорный комплект интегральных микросхем МПК | Совокупность микропроцессорных и других интегральных микросхем, совместимых по архитектуре, конструктивному исполнению и электрическим параметрам и обеспечивающих возможность совместного применения |
de circuit
semiconducteurs
couches
hybride
analogique
digitaux
des integrierten Schaltkreises
integrierter Schaltkreis
integrierten Schaltkreises
,
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин | Номер термина |
Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы | 17 |
Библиотека функциональных ячеек | 17 |
БИС | 28 |
БМК | 14 |
Вывод | 20 |
Вывод бескорпусной интегральной микросхемы | 20 |
Вывод интегральной микросхемы свободный | 21 |
Вывод интегральной микросхемы неиспользуемый | 22 |
Вывод неиспользуемый | 22 |
Вывод свободный | 21 |
Группа типов интегральных микросхем | 34 |
Комплект интегральных микросхем микропроцессорный | 36 |
Компонент | 3 |
Компонент интегральной микросхемы | 3 |
Кристалл | 12 |
Кристалл базовый | 13 |
Кристалл интегральной микросхемы | 12 |
Кристалл интегральной микросхемы базовый | 13 |
Корпус | 9 |
Корпус интегральной микросхемы | 9 |
Кристалл интегральной микросхемы базовый матричный | 14 |
Микросхема аналоговая | 7 |
Микросхема бескорпусная | 19 |
Микросхема гибридная | 6 |
Микросхема интегральная | 1 |
Микросхема интегральная аналоговая | 7 |
Микросхема интегральная бескорпусная | 19 |
Микросхема интегральная большая | 28 |
Микросхема интегральная гибридная | 6 |
Микросхема интегральная степени интеграции | 25 |
Микросхема интегральная малая | 26 |
Микросхема интегральная микропроцессорная | 35 |
Микросхема интегральная пленочная | 5 |
Микросхема интегральная полупроводниковая | 4 |
Микросхема интегральная сверхбольшая | 29 |
Микросхема интегральная сверхскоростная | 30 |
Микросхема интегральная средняя | 27 |
Микросхема интегральная цифровая | 8 |
Микросхема логическая | 8 |
Микросхема микропроцессорная | 35 |
Микросхема пленочная | 5 |
Микросхема полупроводниковая | 4 |
Микросхема цифровая | 8 |
МИС | 26 |
МПК | 36 |
Пластина | 11 |
Пластина полупроводниковая | 11 |
Плотность упаковки | 23 |
Плотность упаковки интегральной микросхемы | 23 |
Площадка интегральной микросхемы контактная | 18 |
Площадка контактная | 18 |
Подложка | 10 |
Подложка интегральной микросхемы | 10 |
СБИС | 29 |
Серия | 33 |
Серия интегральных микросхем | 33 |
СИС | 27 |
ССИС | 30 |
Степень интеграции | 24 |
Степень интеграции интегральной микросхемы | 24 |
Схема твердая | 4 |
Тип интегральной микросхемы | 31 |
Типономинал интегральной микросхемы | 32 |
Элемент | 2 |
Элемент интегральной микросхемы | 2 |
Ячейка базовая | 15 |
Ячейка базового кристалла интегральной микросхемы функциональная | 16 |
Ячейка кристалла интегральной микросхемы базовая | 15 |
Ячейка функциональная | 16 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин | Номер термина |
Analoger integrierter Schaltkreis | 7 |
Anschluss des | 20 |
Bauelement des integrierten Schaitkreises | 3 |
Baureihe der integrierten Schaltkreise | 33 |
Chip des integrierten Schaitkreises | 12 |
Digitaler integrierter Schaltkreis | 8 |
Element des integrierten Schaitkreises | 2 |
| 19 |
Halblеiterscheibе | 11 |
Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises | 24 |
Integrierter Filmschaltkreis | 5 |
Integrierter Halbleiterschaltkreis | 4 |
Integrierter Hybridschaltkreis | 6 |
Integrierter Schaltkreis | 1 |
| 18 |
Packungsdichte des integrierten Schaltkreises | 23 |
| 9 |
Substrat Hybrid und Filmschaltkreise | 10 |
integrierten Schaitkreises
integrierter Schaltkreis
des integrierten Schaltkreises
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
Термин | Номер термина |
Analogue integrated circuit | 7 |
Blank terminal | 21 |
Chip | 12 |
Circuit component | 3 |
Circuit element | 2 |
Digital integrated circuit | 8 |
Film integrated circuit | 5 |
Integrated microcircuit | 1 |
Hybrid integrated circuit | 6 |
Microprocessor integrated circuit | 35 |
Non-usable terminal | 22 |
Package | 9 |
Semiconductor integrated circuit | 4 |
Substrate | 10 |
Terminal | 20 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 5
Термин | Номер термина |
Boitier | 9 |
Borne | 20 |
Borne non | 21 |
Borne non | 22 |
Circuit | 7 |
Circuit | 5 |
Circuit | 8 |
Circuit | 6 |
Circuit | 4 |
Composant de circuit | 3 |
| 2 |
Microcircuit | 1 |
Microprocesseur circuit | 35 |
Pastille | 12 |
Substrat | 10 |
analogique
couches
digitaux
hybride
semiconducteurs
de circuit
Электронный текст документа
и сверен по:
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005